分子束外延生长Al掺杂n型ZnS_(1-x)Tex的类DX中心

应用光致发光 (PL )、电容 -电压 (C- V)、深能级瞬态谱 (DL TS)和光电导 (PC)技术系统研究 Al掺杂 Zn S1 - xTex 中与 Al有关的类 DX中心 .实验结果表明 ,Zn S1 - x Tex 中存在与 - 族半导体 DX中心相类似的性质 .获得与 Al有关的类 DX中心光离化能 Ei (～ 1.0 e V和 2 .0 e V)和发射势垒 Ee (0 .2 1e V和 0 .39e V) ,这表明 Zn S1 - x Tex大晶格弛豫的出现是由类

紫外成像用高响应ZnS肖特基光电二极管阵列(英文)

基于分子束外延 (MBE)生长技术 ,制备出了新颖的 8× 8Zn S肖特基光电二极管阵列 ,研究了制备该器件的标准光刻 ,金属沉积 ,湿化学腐蚀 ,Si O2 绝缘层沉积等一系列微电子处理工艺 .该肖特基光电二极管阵列的光谱响应截止边为 34 0 nm.在 40 0～ 2 5 0 nm的可见光盲区域 ,光电响应测试显示该器件在截止边波长处具有 0 .15 A/ W的高响应度 ,相对应的量子效率为 5 5 % .成像测试显示该器件具有良好的紫外成像特性 .

紫外透射型液晶光阀用ZnS_xSe_(1-x)薄膜的研究

描述了透射型ZnSxSe1 -x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理 ,并从器件的电学模型出发 ,着重讨论了整体器件对ZnSxSe1 -x光敏层的特殊要求。采用分子束外延技术在ITO石英导电玻璃上制备了不同组分的三元ZnSxSe1 -x多晶薄膜 ,通过控制反应时的生长参数 ,制备出了符合器件设计要求的光敏层薄膜。室温下 ,薄膜的紫外 可见光响应对比度大于 10 3,响应波长截止边可通过控制薄膜中的Se组分 ,在 36 0～ 4 10nm范围内连续可调 ;薄膜的紫外 可见光吸收系数比大于 10 3;在液晶光阀工作的低频段 (<2 0 0Hz) ,其暗阻抗在 10 5～ 10 6 Ωcm2 之间 ;暗

分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究

分别应用光致发光、电容 电压和深能级瞬态傅里叶谱技术详细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为 .光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理 .两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据 .电容 电压测量表明样品表观载流子积累峰出现的深度 (样品表面下约 10 0nm处 )大约是ZnSe量子点层的位置 .深能级瞬态傅里叶谱获得的ZnSe量子点电子基态能级位置为ZnSe导带下的 0 11eV ,这与ZnSe量子点光致发光热猝火模型得到的结果一致 .