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离子束缺陷工程与离子注入激活率的提高
1
作者 卢武星 刘洁 j.r.liefting 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期487-491,共5页
研究了运用离子束缺陷工程提高离子注入Si中掺杂激活率的新方法．MeV高能Si注入被有效地用于防止缺陷（损伤）层对P激活的有害影响，大大提高了掺杂杂质的平均激活水平．
关键词 离子束缺陷工程 掺杂 激活率 离子注入
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高能重离子注入Si中缺陷的抑制 被引量：1
2
作者 卢武星 R.J.SCHREUTLKAMP +1 位作者 j.r.liefting F.W.SARIS 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第7期1101-1107,共7页
以文献[10]中作者系统研究离子注入Si中缺陷形成判据为基础,研究多种高能重离子的注入和退火行为,提出一种简便和有效抑制二次缺陷形成的新方法.
关键词 离子注入 硅 缺陷 高能 重离子
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