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在半导体和聚合物基片上激光诱发沉积
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作者 j.zahavi S.Tamir +1 位作者 M.HaHiWell 徐守策 《材料保护》 CAS 1987年第1期61-62,共2页
常规电镀液中用激光照射来代替电流,在半导体和聚合物基片上沉积金和钯-镍.镀层厚度取决于激光能量的强度从几百埃到几微米变化.在n型硅和砷化镓上金沉积显示出Schottky壁垒接触特性. 近来激光诱发所诱导的化学和电化学反应已引起很大注... 常规电镀液中用激光照射来代替电流,在半导体和聚合物基片上沉积金和钯-镍.镀层厚度取决于激光能量的强度从几百埃到几微米变化.在n型硅和砷化镓上金沉积显示出Schottky壁垒接触特性. 近来激光诱发所诱导的化学和电化学反应已引起很大注意,这种反应可能用于微电子装置中的沉积或刻蚀过程.金属化学镀和电镀过程用激光增强微电流,连续的氩离子激光束提高了沉积速率.用10~7~10~9W/cm^2(脉冲持续时间7~150毫微秒) 展开更多
关键词 激光辐照 激光疗法 片上 聚合物基 激光诱发
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