受激光辐照而局部晶化的新型多晶硅TFT

提出一种新型多晶硅ＴＦＴ结构，它在沟道中设置了高阻的非晶硅区，从而有效地减小了漏电流。这种新器件的有源层被局部晶化，而沟道区中与源极相邻的两个边界层未被晶化，保持非晶硅态。在制造新器件时不需要附加光刻工序，也不存在失调（ｍｉｓａｌｉｎｇ）问题。由于采用了透明的ＩＴＯ栅，增大了开口率，这也是新器件的另一优点。