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质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱能级结构的调整
被引量:
1
1
作者
李娜
李宁
+8 位作者
陆卫
刘兴权
窦红飞
沈学础
Fu Lan
Tan H H
jagadish c
Johnston M B
Gal M
《量子电子学报》
CAS
CSCD
2000年第1期31-35,共5页
本文介绍利用界面混合技术对GaAs/AlGaAs量子阱结构进行微调,通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速返火对禁带宽度及导带内子带位置的影响,荧光光谱峰位随注入剂量(5x104~5x1015cm2)的增加从...
本文介绍利用界面混合技术对GaAs/AlGaAs量子阱结构进行微调,通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速返火对禁带宽度及导带内子带位置的影响,荧光光谱峰位随注入剂量(5x104~5x1015cm2)的增加从766um持续蓝移至753um,光响应峰值波长从8.2um移至10.3um.
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关键词
质子注入
快速退火
砷化镓
红外探测器
下载PDF
职称材料
题名
质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱能级结构的调整
被引量:
1
1
作者
李娜
李宁
陆卫
刘兴权
窦红飞
沈学础
Fu Lan
Tan H H
jagadish c
Johnston M B
Gal M
机构
中国科学院上海技术物理研究所
Department of Electronic Materials Engineering
School of Physics
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
2000年第1期31-35,共5页
文摘
本文介绍利用界面混合技术对GaAs/AlGaAs量子阱结构进行微调,通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速返火对禁带宽度及导带内子带位置的影响,荧光光谱峰位随注入剂量(5x104~5x1015cm2)的增加从766um持续蓝移至753um,光响应峰值波长从8.2um移至10.3um.
关键词
质子注入
快速退火
砷化镓
红外探测器
Keywords
H+ ion implanlantation, rapid therma, annealing, GaAs/AlGaAs, QWIP
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱能级结构的调整
李娜
李宁
陆卫
刘兴权
窦红飞
沈学础
Fu Lan
Tan H H
jagadish c
Johnston M B
Gal M
《量子电子学报》
CAS
CSCD
2000
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