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质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱能级结构的调整 被引量:1
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作者 李娜 李宁 +8 位作者 陆卫 刘兴权 窦红飞 沈学础 Fu Lan Tan H H jagadish c Johnston M B Gal M 《量子电子学报》 CAS CSCD 2000年第1期31-35,共5页
本文介绍利用界面混合技术对GaAs/AlGaAs量子阱结构进行微调,通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速返火对禁带宽度及导带内子带位置的影响,荧光光谱峰位随注入剂量(5x104~5x1015cm2)的增加从... 本文介绍利用界面混合技术对GaAs/AlGaAs量子阱结构进行微调,通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速返火对禁带宽度及导带内子带位置的影响,荧光光谱峰位随注入剂量(5x104~5x1015cm2)的增加从766um持续蓝移至753um,光响应峰值波长从8.2um移至10.3um. 展开更多
关键词 质子注入 快速退火 砷化镓 红外探测器
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