穿透硅通孔:兼顾技术与成本的考虑

采用3维（3D）芯片层叠的生产技术用于制造更复杂、性能更强大、更具成本效率的系统，是一个具有前景的方向。采用穿透硅通孔（Thmugh Silicon Via，TSV）的连接技术可以有效地实现这种3D芯片层叠。这个技术很快已经初具雏形：公司和研究中心已经找到许多可能的方法实现TSV，并与3D模块集成。

用于3D WLP和3D SIC的穿透硅通孔技术

数家研究小组和公司已经展示了通过芯片叠层和穿透硅通孔（TSV）互连来实现复杂3D芯片的可行性。