期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
穿透硅通孔:兼顾技术与成本的考虑
被引量:
1
1
作者
jan provoost
Eric Beyne
《集成电路应用》
2009年第6期36-38,共3页
采用3维(3D)芯片层叠的生产技术用于制造更复杂、性能更强大、更具成本效率的系统,是一个具有前景的方向。采用穿透硅通孔(Thmugh Silicon Via,TSV)的连接技术可以有效地实现这种3D芯片层叠。这个技术很快已经初具雏形:公司和研...
采用3维(3D)芯片层叠的生产技术用于制造更复杂、性能更强大、更具成本效率的系统,是一个具有前景的方向。采用穿透硅通孔(Thmugh Silicon Via,TSV)的连接技术可以有效地实现这种3D芯片层叠。这个技术很快已经初具雏形:公司和研究中心已经找到许多可能的方法实现TSV,并与3D模块集成。
展开更多
关键词
生产技术
成本效率
通孔
穿透
SILICON
3D芯片
硅
连接技术
下载PDF
职称材料
用于3D WLP和3D SIC的穿透硅通孔技术
2
作者
jan provoost
Deniz Sabuncuoglu Tezcan
+1 位作者
Bart Swinnen
Eric Beyne
《集成电路应用》
2008年第7期45-47,共3页
数家研究小组和公司已经展示了通过芯片叠层和穿透硅通孔(TSV)互连来实现复杂3D芯片的可行性。
关键词
3D芯片
通孔
穿透
WLP
SIC
技术
硅
下载PDF
职称材料
题名
穿透硅通孔:兼顾技术与成本的考虑
被引量:
1
1
作者
jan provoost
Eric Beyne
机构
IMEC
出处
《集成电路应用》
2009年第6期36-38,共3页
文摘
采用3维(3D)芯片层叠的生产技术用于制造更复杂、性能更强大、更具成本效率的系统,是一个具有前景的方向。采用穿透硅通孔(Thmugh Silicon Via,TSV)的连接技术可以有效地实现这种3D芯片层叠。这个技术很快已经初具雏形:公司和研究中心已经找到许多可能的方法实现TSV,并与3D模块集成。
关键词
生产技术
成本效率
通孔
穿透
SILICON
3D芯片
硅
连接技术
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TP332 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
下载PDF
职称材料
题名
用于3D WLP和3D SIC的穿透硅通孔技术
2
作者
jan provoost
Deniz Sabuncuoglu Tezcan
Bart Swinnen
Eric Beyne
机构
IMEC
出处
《集成电路应用》
2008年第7期45-47,共3页
文摘
数家研究小组和公司已经展示了通过芯片叠层和穿透硅通孔(TSV)互连来实现复杂3D芯片的可行性。
关键词
3D芯片
通孔
穿透
WLP
SIC
技术
硅
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TP391.41 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
穿透硅通孔:兼顾技术与成本的考虑
jan provoost
Eric Beyne
《集成电路应用》
2009
1
下载PDF
职称材料
2
用于3D WLP和3D SIC的穿透硅通孔技术
jan provoost
Deniz Sabuncuoglu Tezcan
Bart Swinnen
Eric Beyne
《集成电路应用》
2008
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部