基于伪静态存储器的设计

伪静态（Pseudostatic）存储器的设计是用于直接替代静态随机存储器（SRAM），即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器（PSRAM）及铁电随机存储器（F—RAM）。PSRAM针对慢速SRAM应用；当纯粹计算每个位的成本时具有竞争优势。F-RAM针对电池后备SRAM（即BBSRAM）应用，在系统成本及产品供应方面具有竞争力。F-RAM还有一个目标用途是用于非易失性数据获得，在这种应用中可以提供卓越的性能。本文将解释这两种伪静态存储器如何实现其功能及有助于简化系统设计人员的工作。

基于伪静态存储器的设计

伪静态存储器的设计是用于直接替代静态随机存储器，即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器及铁电随机存储器（FRAM）。本文所描述的技术与电路可用于设计伪静态存储器，可直接替代静态存储器。通过移动电话中PSRAM的快速采用，及从BBSRAM向FRAM的持续迂移。