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结合先进封装与最新MOSFET技术可满足未来电源供应需求
1
作者
jeff sherman
《电子与电脑》
2010年第11期56-58,共3页
硅芯片(silicon)及封装技术的进展使得尺寸缩小的产品需要更多的电量,DualCoolTM NexFETTM电源MOSFET结合新一代硅产品技术与能够在标准体积尺寸中达到上端降温(topside cooling)效果的封装,这些技术的结合使得效率、功率密度(pow...
硅芯片(silicon)及封装技术的进展使得尺寸缩小的产品需要更多的电量,DualCoolTM NexFETTM电源MOSFET结合新一代硅产品技术与能够在标准体积尺寸中达到上端降温(topside cooling)效果的封装,这些技术的结合使得效率、功率密度(power density)及可靠度达到新境界,本文将着重在效能优点方面说明这些新技术。
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关键词
MOSFET
封装技术
电源供应
可满足
尺寸缩小
标准体积
功率密度
硅产品
下载PDF
职称材料
满足供电需求的新型封装技术和MOSFET
2
作者
jeff sherman
《今日电子》
2010年第11期22-23,共2页
在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一代半导体技术,在效率等级、功率密度和可靠性等方面都达到了新的水平。
关键词
功率MOSFET
半导体技术
封装技术
高功率
小尺寸
供电需求
驱动
器件
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职称材料
题名
结合先进封装与最新MOSFET技术可满足未来电源供应需求
1
作者
jeff sherman
机构
德州仪器
出处
《电子与电脑》
2010年第11期56-58,共3页
文摘
硅芯片(silicon)及封装技术的进展使得尺寸缩小的产品需要更多的电量,DualCoolTM NexFETTM电源MOSFET结合新一代硅产品技术与能够在标准体积尺寸中达到上端降温(topside cooling)效果的封装,这些技术的结合使得效率、功率密度(power density)及可靠度达到新境界,本文将着重在效能优点方面说明这些新技术。
关键词
MOSFET
封装技术
电源供应
可满足
尺寸缩小
标准体积
功率密度
硅产品
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
满足供电需求的新型封装技术和MOSFET
2
作者
jeff sherman
机构
Texas Instruments公司
出处
《今日电子》
2010年第11期22-23,共2页
文摘
在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一代半导体技术,在效率等级、功率密度和可靠性等方面都达到了新的水平。
关键词
功率MOSFET
半导体技术
封装技术
高功率
小尺寸
供电需求
驱动
器件
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
结合先进封装与最新MOSFET技术可满足未来电源供应需求
jeff sherman
《电子与电脑》
2010
0
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职称材料
2
满足供电需求的新型封装技术和MOSFET
jeff sherman
《今日电子》
2010
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