降低栅掺杂和超浅结的制程可变性

随着器件尺寸的缩小,离子注入和退火等制程的可变性开始引起器件阈值电压的显著变化。对此,器件制造商有两个选择:要么围绕可变性来设计制程,要么改变制程设备。本文将探讨在65至32nm节点下DRAM与逻辑器件的各种可选择方案。