精确测量功率MOSFET的R_(DS(on))

电阻值的测量通常比较简单。但是，对于非常小阻值的测量，我们必须谨慎对待我们所做的假定。对于特定的几何形状，如电线，Kelvin方法是非常精确的。可以使用类似的方法来测量均匀样本的体电阻率和面电阻率，但是所使用的公式不同。在这砦情况下，必须考虑探针间距和样本厚度。仅仅运用Kelvin法本身无法保证精度。