期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
双向IGBT开关在矩阵变换器中的应用
1
作者 Dinesh Chamund Bill Findlay +4 位作者 Kevan Birkett Dynex Semiconductor Pat Wheeler jon clare Michael Bland 《电力电子》 2005年第3期40-44,共5页
双向IGBT模块是实现高频矩阵变换器极为有效的方法。略不同于硬开关PWM变换器,矩阵变换器中的开关和传导损耗取决于所选的调制策略。本文介绍了一种由诺丁汉大学推导的平均损耗的计算公式。测试一个使用1200V,200A的双向模块实现的三相... 双向IGBT模块是实现高频矩阵变换器极为有效的方法。略不同于硬开关PWM变换器,矩阵变换器中的开关和传导损耗取决于所选的调制策略。本文介绍了一种由诺丁汉大学推导的平均损耗的计算公式。测试一个使用1200V,200A的双向模块实现的三相到单相的构造,得到的波形说明了矩阵变换器的实际操作以及可能会出现的输出电流纹波。 展开更多
关键词 矩阵变换器 IGBT开关 双向 IGBT模块 应用 PWM变换器 传导损耗 调制策略 电流纹波
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部