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混合电动车辆用的功率模块采用多项新工艺后功率循环能力的提高
被引量:
1
1
作者
Christian Herold
Alexander Hensler
+3 位作者
josef lutz
Thoben Markus
Infineon Gutt
郑鹏洲
《电力电子》
2012年第3期33-36,共4页
本文叙述一项名为"用于有源设备中的电子元器件(EfA)"的合作研究项目的一些研究成果。采用内燃机的冷却线路对功率电子设备进行冷却,内燃机的温度能达到105℃(最恶劣情况能达到125℃)。所以,功率器件必须能经受住高达200℃的...
本文叙述一项名为"用于有源设备中的电子元器件(EfA)"的合作研究项目的一些研究成果。采用内燃机的冷却线路对功率电子设备进行冷却,内燃机的温度能达到105℃(最恶劣情况能达到125℃)。所以,功率器件必须能经受住高达200℃的高温。挑战性的主要指标是功率循环能力。随着封装工艺的改进,这个目标是能够实现的。采用系统功率循环试验激发各种失效模式,并评估所采取的改进措施的效果。已发现,当采用新的内互连工艺,功率循环寿命能提高100倍之多。
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关键词
内燃机
系统功率循环
功率器件
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职称材料
高压IGBT在di/dt缓冲电路中的短路特性
2
作者
Thomas Basler
josef lutz
+6 位作者
Thomas Bruckner
Roland Jakob
Piotr Sadowski
Gunter Junge
魏峰(译)
李立(译)
胡冬青(校)
《电力电子》
2012年第4期20-23,共4页
di_C/dt缓冲电路中较高的开通电感使IGBT短路特性在两种短路模式下有明显的不同,由于短路开通时集电极-发射极电压的急剧减小,IGBT短路模式一中的特性变得格外重要,而且还引起V_(CE)变陡峭的去饱和过程。本文描述了该失效模式中IGBT特性...
di_C/dt缓冲电路中较高的开通电感使IGBT短路特性在两种短路模式下有明显的不同,由于短路开通时集电极-发射极电压的急剧减小,IGBT短路模式一中的特性变得格外重要,而且还引起V_(CE)变陡峭的去饱和过程。本文描述了该失效模式中IGBT特性,并给出了快速检测这种失效的两种备选方案。利用大面积高压压封IGBT模块及单IGBT芯片进行验证测试。
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关键词
高压IGBT
缓冲电路
短路
特性
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职称材料
题名
混合电动车辆用的功率模块采用多项新工艺后功率循环能力的提高
被引量:
1
1
作者
Christian Herold
Alexander Hensler
josef lutz
Thoben Markus
Infineon Gutt
郑鹏洲
机构
德国Chemnitz技术学院
Infineon技术公司
Thomas技术公司
北京航空航天大学可靠性与系统工程学院
出处
《电力电子》
2012年第3期33-36,共4页
基金
德国经济和技术部(BMWi)的经费支持
文摘
本文叙述一项名为"用于有源设备中的电子元器件(EfA)"的合作研究项目的一些研究成果。采用内燃机的冷却线路对功率电子设备进行冷却,内燃机的温度能达到105℃(最恶劣情况能达到125℃)。所以,功率器件必须能经受住高达200℃的高温。挑战性的主要指标是功率循环能力。随着封装工艺的改进,这个目标是能够实现的。采用系统功率循环试验激发各种失效模式,并评估所采取的改进措施的效果。已发现,当采用新的内互连工艺,功率循环寿命能提高100倍之多。
关键词
内燃机
系统功率循环
功率器件
分类号
TN42 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
高压IGBT在di/dt缓冲电路中的短路特性
2
作者
Thomas Basler
josef lutz
Thomas Bruckner
Roland Jakob
Piotr Sadowski
Gunter Junge
魏峰(译)
李立(译)
胡冬青(校)
机构
德国开姆尼斯工业大学
德国通用电器能源功率整流公司
北京工业大学电控学院
出处
《电力电子》
2012年第4期20-23,共4页
文摘
di_C/dt缓冲电路中较高的开通电感使IGBT短路特性在两种短路模式下有明显的不同,由于短路开通时集电极-发射极电压的急剧减小,IGBT短路模式一中的特性变得格外重要,而且还引起V_(CE)变陡峭的去饱和过程。本文描述了该失效模式中IGBT特性,并给出了快速检测这种失效的两种备选方案。利用大面积高压压封IGBT模块及单IGBT芯片进行验证测试。
关键词
高压IGBT
缓冲电路
短路
特性
分类号
TM721.1 [电气工程—电力系统及自动化]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
混合电动车辆用的功率模块采用多项新工艺后功率循环能力的提高
Christian Herold
Alexander Hensler
josef lutz
Thoben Markus
Infineon Gutt
郑鹏洲
《电力电子》
2012
1
下载PDF
职称材料
2
高压IGBT在di/dt缓冲电路中的短路特性
Thomas Basler
josef lutz
Thomas Bruckner
Roland Jakob
Piotr Sadowski
Gunter Junge
魏峰(译)
李立(译)
胡冬青(校)
《电力电子》
2012
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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