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功率半导体器件封装技术的新趋势
1
作者
k.巴克豪斯
《电力电子》
2003年第Z1期47-49,共3页
SKiiP功率半导体器件的封装技术指将DCB陶瓷基片和散热器直接热压接构成,因此可以去掉铜底板。这使得该技术在可靠性和结温方面具有内在的优势。两种新的功率模块系列产品利用这项技术,把压力连接的设想延伸到辅助连接件,即用一个弹簧...
SKiiP功率半导体器件的封装技术指将DCB陶瓷基片和散热器直接热压接构成,因此可以去掉铜底板。这使得该技术在可靠性和结温方面具有内在的优势。两种新的功率模块系列产品利用这项技术,把压力连接的设想延伸到辅助连接件,即用一个弹簧来连接。智能部件的集成使得将分立的功率系统安装在一个外壳中成为可能。新型模块利用了新一代沟槽型元胞结构IGBT芯片的通流能力。
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关键词
功率半导体器件
封装技术
新趋向
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题名
功率半导体器件封装技术的新趋势
1
作者
k.巴克豪斯
出处
《电力电子》
2003年第Z1期47-49,共3页
文摘
SKiiP功率半导体器件的封装技术指将DCB陶瓷基片和散热器直接热压接构成,因此可以去掉铜底板。这使得该技术在可靠性和结温方面具有内在的优势。两种新的功率模块系列产品利用这项技术,把压力连接的设想延伸到辅助连接件,即用一个弹簧来连接。智能部件的集成使得将分立的功率系统安装在一个外壳中成为可能。新型模块利用了新一代沟槽型元胞结构IGBT芯片的通流能力。
关键词
功率半导体器件
封装技术
新趋向
Keywords
power semiconductor devices
packaging technology
new trends
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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1
功率半导体器件封装技术的新趋势
k.巴克豪斯
《电力电子》
2003
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