期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
硅中浅杂质A^+态的远红外光电导谱
1
作者
张兵临
k.kangarlu
H.R.Chandrakhar
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第3期16-17,35,共3页
用Fourier变换光谱仪测定了Si:B,Si:Al,及Si:Ga诸样品的A^+态远红外光电导谱,并首次测得了电场对A^+态的影响。对实验结果及A^+态产生机制进行了讨论。
关键词
硅
杂质
远红外
光电导谱
半导体
下载PDF
职称材料
题名
硅中浅杂质A^+态的远红外光电导谱
1
作者
张兵临
k.kangarlu
H.R.Chandrakhar
机构
郑州大学物理系
美国密苏里-哥伦比亚大学物理系
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第3期16-17,35,共3页
文摘
用Fourier变换光谱仪测定了Si:B,Si:Al,及Si:Ga诸样品的A^+态远红外光电导谱,并首次测得了电场对A^+态的影响。对实验结果及A^+态产生机制进行了讨论。
关键词
硅
杂质
远红外
光电导谱
半导体
分类号
O649 [理学—物理化学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅中浅杂质A^+态的远红外光电导谱
张兵临
k.kangarlu
H.R.Chandrakhar
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部