高压、快速开关GaN功率晶体管的技术途径

本文主要讨论用于功率电子电路中的快速开关GaN器件的技术途径。首先,概述对于在SiC和Si衬底上生长的器件,用于提高击穿电压的最先进技术。然后将这些技术与不同偏压下的动态开关特性联系起来。动态开关特性仍然落后于类似的竞争器件,尤其是如果考虑高偏压的开关特性时。开关特性一般用所谓的动态导通电阻表示。它与一些工艺参数的关系极大,这些参数如外延层的设计、缓冲层晶体品质、钝化层,最后,但并不是不重要的是横向器件设计(如场电极的布置)。说明了所有这些影响因素之间的平衡,及其与GaN高压开关器件现状的关系。