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砷化镓 金属—半导体场效应晶体管的二维数值分析 被引量:1
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作者 陈贵灿 k.l.wang +1 位作者 刘之行 邵志标 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第1期79-86,共8页
本文叙述用有限元方法对工作在导带的 GaAs MESFET's 器件进行二维稳态模拟的程序.用三角形单元不均匀网格剖分的程序,能局部加密,优化结点编码,缩小带宽;对基本方程离散采用改进的电荷浓缩法和有限元——有限差分混合法;方程求解... 本文叙述用有限元方法对工作在导带的 GaAs MESFET's 器件进行二维稳态模拟的程序.用三角形单元不均匀网格剖分的程序,能局部加密,优化结点编码,缩小带宽;对基本方程离散采用改进的电荷浓缩法和有限元——有限差分混合法;方程求解采用藕合法,偏压步长大,计算速度快. 展开更多
关键词 场效应晶体管 肖特基势垒栅 砷化镓
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INVESTIGATION ON RESONANT TUNNELING IN GaAs/Al_xGa_(1-x)As DBD USING TUNNELING SPECTROSCOPY
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作者 陈弘毅 k.l.wang 《Journal of Electronics(China)》 1990年第1期70-76,共7页
Experimental investigation on resonant tunneling in various GaAs/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>Asdouble barrier single well structures has been performed by using tunneling spectroscopy atdiffe... Experimental investigation on resonant tunneling in various GaAs/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>Asdouble barrier single well structures has been performed by using tunneling spectroscopy atdifferent temperatures.The results show that in addition to resonant tunneling via GaAs wellstate confined by Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As Γ-point barrier there exists resonant tunneling via GaAs well stateconfined by Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As X-point barrier for both indirect(x】0.4)and direct(x【0.4)cases. 展开更多
关键词 RESONANT TUNNELING Quantum WELL Energy BAND profile
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