对溴化银T颗粒特性的研究

用介电损耗法测量溴化银乳剂颗粒面[111]面上以其填隙银离子作为载流子时,低频峰值给出的离子电导率说明,溴化银T颗粒的填隙银离子浓度比八面体颗粒小得多。这可能是孪晶面提供填隙银离子稳定空穴,并有双电子层,负性在主平面上,正性在孪晶面上形成银离子,从表面位置移动到孪晶面的结果。这个模型说明了孪晶面上存在电子陷阱,并证实T颗粒电子陷阱更深。因此其内部敏度要比八面体颗粒更高。