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大电流(直流)冲击试验对-族氮化物异质结深电子态的影响
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作者 卢励吾 张砚华 +3 位作者 GeWeikun W.Y.Ho CharlesSurya k.y.tongc 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第8期667-669,共3页
利用电流电压( I V)、电致发光( E L)和深能级瞬态傅里叶谱( D L T F S)技术研究ⅢⅤ族氮化物基异质结深电子态.观察到大电流(直流)冲击引起电流电压和电致发光特性的弛豫. D L T F S研究表明,电流冲... 利用电流电压( I V)、电致发光( E L)和深能级瞬态傅里叶谱( D L T F S)技术研究ⅢⅤ族氮化物基异质结深电子态.观察到大电流(直流)冲击引起电流电压和电致发光特性的弛豫. D L T F S研究表明,电流冲击之前,样品存在一个位于导带下 11e V 处深能级( E1),它具有 27×1013 cm - 3 浓度和 5×10- 14 cm 2 俘获截面.经电流冲击(77 K,200m A 和 40m in)后, E1 浓度为421×1013cm - 3 ,约增加了 2 倍.实验结果表明 E1 浓度的增加与样品 I V、 E L 展开更多
关键词 Ⅲ-Ⅴ族 化合物半导体 氮化物 试验
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