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大电流(直流)冲击试验对-族氮化物异质结深电子态的影响
1
作者
卢励吾
张砚华
+3 位作者
GeWeikun
W.Y.Ho
CharlesSurya
k.y.tongc
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第8期667-669,共3页
利用电流电压( I V)、电致发光( E L)和深能级瞬态傅里叶谱( D L T F S)技术研究ⅢⅤ族氮化物基异质结深电子态.观察到大电流(直流)冲击引起电流电压和电致发光特性的弛豫. D L T F S研究表明,电流冲...
利用电流电压( I V)、电致发光( E L)和深能级瞬态傅里叶谱( D L T F S)技术研究ⅢⅤ族氮化物基异质结深电子态.观察到大电流(直流)冲击引起电流电压和电致发光特性的弛豫. D L T F S研究表明,电流冲击之前,样品存在一个位于导带下 11e V 处深能级( E1),它具有 27×1013 cm - 3 浓度和 5×10- 14 cm 2 俘获截面.经电流冲击(77 K,200m A 和 40m in)后, E1 浓度为421×1013cm - 3 ,约增加了 2 倍.实验结果表明 E1 浓度的增加与样品 I V、 E L
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关键词
Ⅲ-Ⅴ族
化合物半导体
氮化物
试验
下载PDF
职称材料
题名
大电流(直流)冲击试验对-族氮化物异质结深电子态的影响
1
作者
卢励吾
张砚华
GeWeikun
W.Y.Ho
CharlesSurya
k.y.tongc
机构
中国科学院半导体材料科学开放实验室
香港科技大学物理系
香港理工大学电子工程系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第8期667-669,共3页
基金
国家自然科学重点基金资助项目
香港科技大学资助
文摘
利用电流电压( I V)、电致发光( E L)和深能级瞬态傅里叶谱( D L T F S)技术研究ⅢⅤ族氮化物基异质结深电子态.观察到大电流(直流)冲击引起电流电压和电致发光特性的弛豫. D L T F S研究表明,电流冲击之前,样品存在一个位于导带下 11e V 处深能级( E1),它具有 27×1013 cm - 3 浓度和 5×10- 14 cm 2 俘获截面.经电流冲击(77 K,200m A 和 40m in)后, E1 浓度为421×1013cm - 3 ,约增加了 2 倍.实验结果表明 E1 浓度的增加与样品 I V、 E L
关键词
Ⅲ-Ⅴ族
化合物半导体
氮化物
试验
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN304.07 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
大电流(直流)冲击试验对-族氮化物异质结深电子态的影响
卢励吾
张砚华
GeWeikun
W.Y.Ho
CharlesSurya
k.y.tongc
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
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