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极薄氧化物/6H-SiC结构的电学和光学性质研究
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作者 Pincik E kobayashi h +4 位作者 Madani M Rusnak J Takahashi M Mikula M Brunner R 《冶金分析》 CAS CSCD 北大核心 2011年第12期15-20,共6页
研究了湿化学法(120℃硝酸氧化,还有低温湿法氧化过程和高温退火组合)制备的极薄氧化物/6H-SiC结构的电学和光学性质。用深能阶暂态光谱学(电荷版)分析了电界面性质,用傅里叶变换衰减全反射红外光谱考察了极薄氧化物/6H-SiC结构的光学... 研究了湿化学法(120℃硝酸氧化,还有低温湿法氧化过程和高温退火组合)制备的极薄氧化物/6H-SiC结构的电学和光学性质。用深能阶暂态光谱学(电荷版)分析了电界面性质,用傅里叶变换衰减全反射红外光谱考察了极薄氧化物/6H-SiC结构的光学性质。发现界面缺陷结构的强转换依赖于应用的技术条件。 展开更多
关键词 碳化硅 MOS 硝酸氧化 傅里叶变换红外光谱 深能阶瞬态光谱
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非均匀a-Si:H层的光致发光光谱研究
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作者 Brunner R Pincik E +2 位作者 kobayashi h Kucera M Takahashi M 《冶金分析》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期43-47,共5页
本文报道了沉积于玻璃基板上的a-Si:H基结构在6K下测定的光致发光光谱。认为其非高斯特性是由材料中的不同相引起的。由光谱拟合获得的数值数据结果显示,它们可以认为是两种有不同结构无序化度区域的光致发光叠加的结果。这是沉积过程... 本文报道了沉积于玻璃基板上的a-Si:H基结构在6K下测定的光致发光光谱。认为其非高斯特性是由材料中的不同相引起的。由光谱拟合获得的数值数据结果显示,它们可以认为是两种有不同结构无序化度区域的光致发光叠加的结果。这是沉积过程的问题,相当于无定形氢化硅结构性能的理想情况。 展开更多
关键词 a-Si:H基结构 光致发光光谱
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Randomized trial of chemoradiotherapy and adjuvant chemotherapy with nimustine (ACNU) versus nimustine plus procarbazine for newly diagnosed anaplastic astrocytoma and glioblastoma (JCOG0305)
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作者 Shibui S Narita Y +37 位作者 Mizusawa J Beppu T Ogasawara K Sawamura Y kobayashi h Nishikawa R Mishima K Muragaki Y Maruyama T Kuratsu J Nakamura h Kochi M Minamida Y Yamaki T Kumabe T Tominaga T Kayama T Sakurada K Nagane M kobayashi K Nakamura h Ito T Yazaki T Sasaki h Tanaka K Takahashi h Asai A Todo T Wakabayashi T Takahashi J Takano S Fujimaki T Sumi M Miyakita Y Nakazato Y Sato A Fukuda h Nomura K 《中国神经肿瘤杂志》 2013年第1期21-21,共1页
Objectives: Glioblastoma(GBM) is one of the worst cancers in terms of prognosis.Standard therapy consists of resection with concomitant chemoradiotherapy.Resistance to nimustine hydrochloride(ACNU),an alkylating agent... Objectives: Glioblastoma(GBM) is one of the worst cancers in terms of prognosis.Standard therapy consists of resection with concomitant chemoradiotherapy.Resistance to nimustine hydrochloride(ACNU),an alkylating agent,has been linked to methylguanine DNA methyltransferase(MGMT).Daily administration of procarbazine(PCZ) has been reported to decrease MGMT activity.This study investigated the efficacy of ACNU + PCZ compared to ACNU alone for GBM and anaplastic astrocytoma(AA).Methods: Patients(20-69 years) who had newly diagnosed AA and GBM were randomly assigned to receive radiotherapy with ACNU alone or with ACNU + PCZ.The primary endpoint was overall survival(OS).This was designed as a phase Ⅱ/Ⅲ trial with a total sample size of 310 patients and was registered as UMIN-CTR C000000108.Results: After 111 patients from 19 centers in Japan were enrolled,this study was terminated early because temozolomide was newly approved in Japan.The median OS and median progression-free survival(PFS) with ACNU alone(n = 55) or ACNU + PCZ(n = 56) in the intention-to-treat population were 27.4 and 22.4 months(P = 0.75),and 8.6 and 6.9 months,respectively.The median OS and median PFS of the GBM subgroup treated with ACNU alone(n = 40) or ACNU + PCZ(n = 41) were 19.0 and 19.5 months,and 6.2 and 6.3 months,respectively.Grade 3/4 hematologic adverse events occurred in more than 40% of patients in both arms,and 27% of patients discontinued treatment because of adverse events.Conclusions: The addition of PCZ to ACNU was not beneficial,in comparison with ACNU alone,for patients with newly diagnosed AA and GBM. 展开更多
关键词 星形细胞 母细胞 随机试验 放疗 胶质 变性 化疗 MGMT
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原发性颅内生殖细胞肿瘤全基因组甲基化分析提示生殖细胞瘤为原始生殖细胞起源 被引量:8
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作者 Fukushima S Yamashita S +2 位作者 kobayashi h 蔡珊珊 王行富 《临床与实验病理学杂志》 CSCD 北大核心 2017年第6期688-688,共1页
颅内生殖细胞肿瘤(iGCTs)是日本14岁以下儿童的第二常见脑肿瘤。WHO分类承认了iGCTs的数个亚型,传统将这些亚型分为纯生殖细胞瘤和非生殖细胞瘤性生殖细胞肿瘤。最近详尽的基因组研究显示MAPK和(或)P13K通路的基因突变在iGCTs中很... 颅内生殖细胞肿瘤(iGCTs)是日本14岁以下儿童的第二常见脑肿瘤。WHO分类承认了iGCTs的数个亚型,传统将这些亚型分为纯生殖细胞瘤和非生殖细胞瘤性生殖细胞肿瘤。最近详尽的基因组研究显示MAPK和(或)P13K通路的基因突变在iGCTs中很常见,然而,不同亚型的发生,为何经常表现为混合性生殖细胞肿瘤, 展开更多
关键词 颅内生殖细胞肿瘤 生殖细胞瘤 全基因组 甲基化分析 细胞起源 原发性 WHO分类 基因突变
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湿法化学制备的超薄和极薄二氧化硅/硅膜的光学性能研究 被引量:1
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作者 KOPANI M kobayashi h +4 位作者 TAKAhAShI M MIKULA M IMAMURA K VOJTEK P PINCIK E 《冶金分析》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期64-67,共4页
二氧化硅薄膜至今依然属人们广泛研究的材料,这是因为当这种材料制备为高质量的超薄、极薄的氧化物时,可实际应用于不同方面,如超大规模集成电路(VLSI)的栅氧化层以及液晶显示屏(LCD)的生产。本文考察了厚度为3nm和5nm的极薄二氧化硅层... 二氧化硅薄膜至今依然属人们广泛研究的材料,这是因为当这种材料制备为高质量的超薄、极薄的氧化物时,可实际应用于不同方面,如超大规模集成电路(VLSI)的栅氧化层以及液晶显示屏(LCD)的生产。本文考察了厚度为3nm和5nm的极薄二氧化硅层的结构性质,这些薄层是通过适度掺杂n-型硅(100)晶片而形成。在形成氧化层之前用标准RCA方法清洁,并随后在氮气氛围中退火,部分样品在HCN溶液中钝化。本研究中用傅立叶变换红外光谱(FT-IR)技术获取了复合结构中不同类型的化学键信息。对SiO2钝化试样和非钝化试样中的Si-O-Si的不对称伸缩振动分别用纵光(LO)和横光(TO)模式进行了鉴别,发现TO模式位置(约1 107cm-1)和振幅与试样的厚度无关。另一方面,LO模式的位置从约1 230cm-1(厚度约为1.5nm)改变为1 244cm-1左右(厚度约为4.5nm)。根据红外光谱峰的偏移,认为超薄和极薄SiOx复合结构并不均匀。对红外光谱获得的结果进行了反褶积处理并获取相关信息。用次级离子质谱分析法(SIMS,Secondary Ion Mass Spectrometry)考察了试样的原子组成,发现NH键的数量也与技术条件相关。基于记录的试样X-反射率数据的理论处理结果,用原始方法确定了材料的结构性质、层密度、表面粗糙度以及相应界面,并将所得结果与原子力显微镜所获得的结果进行了对比和讨论。借助于深能阶瞬态光谱学中的电荷变形,证实HCN溶液对二氧化硅/硅界面密度的强钝化影响。钝化后,发现新形成的界面深处缺陷阱其密度可以忽略不计,这是因为其形成原因与钝化过程中在界面处引入的NH原子对存在相关。 展开更多
关键词 二氧化硅 硅结构 湿法化学 TO模式 LO模式
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