期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
用于下一代功率模块中的新一代硅片设计
被引量:
2
1
作者
katsumi satoh
Tetsuo Takahashi
+1 位作者
Hidenori Fujii
Manabu Yoshino
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2008年第10期75-77,共3页
受益于快速发展的硅片工艺,IGBT硅片和二极管硅片的性能得到了显著提高并且日趋接近其理论极限。三菱电机通过采用新的硅片技术,已经可以进一步降低功率器件的功率损耗。这里介绍了该新硅片技术中的微细图形工艺和优化杂质分布后新的硅...
受益于快速发展的硅片工艺,IGBT硅片和二极管硅片的性能得到了显著提高并且日趋接近其理论极限。三菱电机通过采用新的硅片技术,已经可以进一步降低功率器件的功率损耗。这里介绍了该新硅片技术中的微细图形工艺和优化杂质分布后新的硅片结构。
展开更多
关键词
模块
损耗/硅片设计技术
下载PDF
职称材料
题名
用于下一代功率模块中的新一代硅片设计
被引量:
2
1
作者
katsumi satoh
Tetsuo Takahashi
Hidenori Fujii
Manabu Yoshino
机构
三菱电机功率器件福岡制作所
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2008年第10期75-77,共3页
文摘
受益于快速发展的硅片工艺,IGBT硅片和二极管硅片的性能得到了显著提高并且日趋接近其理论极限。三菱电机通过采用新的硅片技术,已经可以进一步降低功率器件的功率损耗。这里介绍了该新硅片技术中的微细图形工艺和优化杂质分布后新的硅片结构。
关键词
模块
损耗/硅片设计技术
Keywords
module
loss / chip design technology
分类号
TM46 [电气工程—电器]
TN3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于下一代功率模块中的新一代硅片设计
katsumi satoh
Tetsuo Takahashi
Hidenori Fujii
Manabu Yoshino
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2008
2
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部