绝缘膜负带电时的表面局部电场与二次电子返回特性

为分析 IC多层版图扫描电镜 (SEM)对准检测所利用的负带电成像原理 ,采用 Mott弹性散射截面和修正的Bethe非弹性碰撞公式 ,对点照射入射电子在绝缘膜中的散射过程进行了 Monte Carlo模拟 ,得到负带电绝缘物表面的局部电位分布 .在此基础上计算了二次电子从表面出射后在局部场作用下的运动轨迹 ,获得了 SEM像的二次电子信号电流 .结果表明 ,在弱负带电条件下 ,照射点处表面电位越低 ,返回表面的二次电子就越多 ,对应的二次电子信号电流越弱 .此结果与

低能电子束照射集成电路芯片时的静态电容衬度分析

在研究低能电子束照射绝缘物时在二次电子返回特性的基础上 ,通过绝缘物表面照射微区和衬底之间的有效电容 ,获得了表面电位和二次电子信号电流在表面电荷积累过渡过程中随照射条件的变化关系 ,建立了电子束照射覆盖有绝缘膜的 IC芯片时形成静态电容衬度的理论模型 .从理论上分析了电子束照射条件和芯片内部形貌、材料参数对静态电容衬度的影响 。

正带电绝缘膜发射的二次电子的轨迹与返回特性

绝缘膜正带电现象在集成电路芯片低能电子束检测方面具有可以利用的前景。采用简化的表面电位分布模型 ,通过数值方法计算了二次电子从正带电绝缘膜表面发射后的运动轨迹 ,分析了初始条件和电位分布形态对轨迹特性的影响。在轨迹计算和考虑二次电子发射概率分布的基础上得到了二次电子受局部电场作用而返回表面时的最大初始动能、分布规律 ,提出了通过简单的一维势垒模型来确定二次电子返回率的方法 。