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移动式PMU的功率MOSFET故障:原因及设计考虑
1
作者
kern wong
《今日电子》
2014年第2期30-33,共4页
汽车系统以及在汽车上充电或者工作的移动设备内部的功率MOSFET,可能工作在恶劣的环境下,并承受来自电源设备和发射器的大强度瞬态。另外,空气中以及电路板裸露导电表面的腐蚀性污染物,会引起低阻抗通路。时间一长,这些低阻抗通路和瞬...
汽车系统以及在汽车上充电或者工作的移动设备内部的功率MOSFET,可能工作在恶劣的环境下,并承受来自电源设备和发射器的大强度瞬态。另外,空气中以及电路板裸露导电表面的腐蚀性污染物,会引起低阻抗通路。时间一长,这些低阻抗通路和瞬态事件(例如:过载、电磁耦合和工作环境产生的易发尖峰等),会导致产生破坏性的电气过应力(EOS)状态。
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关键词
PMU
电源设备
过应力
瞬态
旁路电容器
汽车系统
反向恢复时间
工作环境
降压转换器
阻抗测量
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职称材料
题名
移动式PMU的功率MOSFET故障:原因及设计考虑
1
作者
kern wong
机构
德州仪器公司
出处
《今日电子》
2014年第2期30-33,共4页
文摘
汽车系统以及在汽车上充电或者工作的移动设备内部的功率MOSFET,可能工作在恶劣的环境下,并承受来自电源设备和发射器的大强度瞬态。另外,空气中以及电路板裸露导电表面的腐蚀性污染物,会引起低阻抗通路。时间一长,这些低阻抗通路和瞬态事件(例如:过载、电磁耦合和工作环境产生的易发尖峰等),会导致产生破坏性的电气过应力(EOS)状态。
关键词
PMU
电源设备
过应力
瞬态
旁路电容器
汽车系统
反向恢复时间
工作环境
降压转换器
阻抗测量
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
移动式PMU的功率MOSFET故障:原因及设计考虑
kern wong
《今日电子》
2014
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