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移动式PMU的功率MOSFET故障:原因及设计考虑
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作者 kern wong 《今日电子》 2014年第2期30-33,共4页
汽车系统以及在汽车上充电或者工作的移动设备内部的功率MOSFET,可能工作在恶劣的环境下,并承受来自电源设备和发射器的大强度瞬态。另外,空气中以及电路板裸露导电表面的腐蚀性污染物,会引起低阻抗通路。时间一长,这些低阻抗通路和瞬... 汽车系统以及在汽车上充电或者工作的移动设备内部的功率MOSFET,可能工作在恶劣的环境下,并承受来自电源设备和发射器的大强度瞬态。另外,空气中以及电路板裸露导电表面的腐蚀性污染物,会引起低阻抗通路。时间一长,这些低阻抗通路和瞬态事件(例如:过载、电磁耦合和工作环境产生的易发尖峰等),会导致产生破坏性的电气过应力(EOS)状态。 展开更多
关键词 PMU 电源设备 过应力 瞬态 旁路电容器 汽车系统 反向恢复时间 工作环境 降压转换器 阻抗测量
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