期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
大型硅晶片平面度精密纳米计量技术(英文)
1
作者 高伟 YamadaTomohiko +3 位作者 FurukawaMasaru NakamubaTomohisa ShimizuHiroki kiyonosatoshi 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 2003年第1期71-78,共8页
描述了一种基于斜率传感器的大型硅晶片平面度扫描测量系统.采用二维斜率传感器对晶片表面扫描,以获得表面绕X和Y轴的倾斜度.斜率传感器装在X向滑板上,而晶片固定在可绕Z轴转动的主轴上.对斜率传感器Y向的输出积分,得到晶片表面各个同... 描述了一种基于斜率传感器的大型硅晶片平面度扫描测量系统.采用二维斜率传感器对晶片表面扫描,以获得表面绕X和Y轴的倾斜度.斜率传感器装在X向滑板上,而晶片固定在可绕Z轴转动的主轴上.对斜率传感器Y向的输出积分,得到晶片表面各个同心圆上轮廓截面高度.对斜率传感器X向的输出积分,得到晶片表面沿X向的截面轮廓,从而获得各同心圆轮廓之间的关系.构建了一个包括基于自准直原理的小型斜率传感器、气浮主轴、气浮导轨的实验系统,提出一种斜率传感器现场标定方法.用此系统测量了直径300 mm的硅晶片平面度. 展开更多
关键词 扫描测量系统 计量技术 倾斜度 斜率传感器 自准直原理 现场标定 硅晶片平面度
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部