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石墨表层对四面体非晶炭膜中受激电子的石墨建序化作用
1
作者
梁士金
Tatsuya Banno
+6 位作者
Yutaka Mera
Masahiro Kitajima
Kunie Ishioka
Yoshihisa Harada
Yoshinori Kitajima
Shik Shin
koji maeda
《新型炭材料》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期241-244,共4页
对滲气阴极真空电弧法制备的四面体非晶炭(ta-C)膜实施氧等离子体刻蚀,消除其表面石墨层后,发现:原沉积膜中ta-C石墨表层的消除会影响其受激电子的石墨建序化。应用发射电子能耗谱,表面增强拉曼光谱和表面敏化X光吸收光谱等测量方法,测...
对滲气阴极真空电弧法制备的四面体非晶炭(ta-C)膜实施氧等离子体刻蚀,消除其表面石墨层后,发现:原沉积膜中ta-C石墨表层的消除会影响其受激电子的石墨建序化。应用发射电子能耗谱,表面增强拉曼光谱和表面敏化X光吸收光谱等测量方法,测定了其表层的消除(程度)。样品的氧等离子体刻蚀阻迟了受激电子的石墨化作用,可能归因于多相成核过程中石墨晶核的缺失之故.
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关键词
炭膜
表面
等离子体
石墨化
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职称材料
题名
石墨表层对四面体非晶炭膜中受激电子的石墨建序化作用
1
作者
梁士金
Tatsuya Banno
Yutaka Mera
Masahiro Kitajima
Kunie Ishioka
Yoshihisa Harada
Yoshinori Kitajima
Shik Shin
koji maeda
机构
Department of Applied Physics
National Institutes for Materials Science(NIMS)
RIKEN/SPring-
Photon Factory
RIKEN/SPring-
出处
《新型炭材料》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期241-244,共4页
文摘
对滲气阴极真空电弧法制备的四面体非晶炭(ta-C)膜实施氧等离子体刻蚀,消除其表面石墨层后,发现:原沉积膜中ta-C石墨表层的消除会影响其受激电子的石墨建序化。应用发射电子能耗谱,表面增强拉曼光谱和表面敏化X光吸收光谱等测量方法,测定了其表层的消除(程度)。样品的氧等离子体刻蚀阻迟了受激电子的石墨化作用,可能归因于多相成核过程中石墨晶核的缺失之故.
关键词
炭膜
表面
等离子体
石墨化
Keywords
Carbon films
Surface
Plasma
Graphitization
分类号
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
石墨表层对四面体非晶炭膜中受激电子的石墨建序化作用
梁士金
Tatsuya Banno
Yutaka Mera
Masahiro Kitajima
Kunie Ishioka
Yoshihisa Harada
Yoshinori Kitajima
Shik Shin
koji maeda
《新型炭材料》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
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