关于多孔MSQ Dual Damascene蚀刻/灰化工艺——为更低损伤和更低k值的多方面损伤评价和化学性质优化

对铜(Cu)互连系统使用低k值材料时,应解决的许多相关问题不仅有技术问题,而且有所有权成本(CoO)?质量合格(CoC)问题。从蚀刻和灰化(去除)工艺的角度报道了几种问题的解决方法。对蚀刻工艺,将在此推荐Via1st的Duo248TM方法(Duo248TM是Honeywell公司的材料,包含US专利#6,268,457)。对于灰化工艺,建议混合灰化工艺(HybridAshing),即蚀刻和灰化工艺在同一反应室连续进行。这些方法的目标将是65nm以下工艺。