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Ni单晶与外延生长In膜界面化合物的形成
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作者 丁训良 Platzer R +5 位作者 Whrmann U Fink R krausch g Luckscheiter B Voigt J Schatz g 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1992年第3期310-315,共6页
用扰动γγ角关联方法研究了低指数Ni单晶衬底与外延生长In膜界面的互扩散和界面化合物的形成。与Ni/In薄膜系统的结果进行了比较.除观察到相图中已知的全部Ni/In化合物外,发现了一个新的Ni/In化合物.相出现的次序都是从富In相到富Ni相... 用扰动γγ角关联方法研究了低指数Ni单晶衬底与外延生长In膜界面的互扩散和界面化合物的形成。与Ni/In薄膜系统的结果进行了比较.除观察到相图中已知的全部Ni/In化合物外,发现了一个新的Ni/In化合物.相出现的次序都是从富In相到富Ni相.单晶衬底情况下,相形成与In膜厚度及衬底取向有关. 展开更多
关键词 镍/铟化合物 镍 单晶 外延生长
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