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石墨表层对四面体非晶炭膜中受激电子的石墨建序化作用
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作者 梁士金 Tatsuya Banno +6 位作者 Yutaka Mera Masahiro Kitajima kunie ishioka Yoshihisa Harada Yoshinori Kitajima Shik Shin Koji Maeda 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期241-244,共4页
对滲气阴极真空电弧法制备的四面体非晶炭(ta-C)膜实施氧等离子体刻蚀,消除其表面石墨层后,发现:原沉积膜中ta-C石墨表层的消除会影响其受激电子的石墨建序化。应用发射电子能耗谱,表面增强拉曼光谱和表面敏化X光吸收光谱等测量方法,测... 对滲气阴极真空电弧法制备的四面体非晶炭(ta-C)膜实施氧等离子体刻蚀,消除其表面石墨层后,发现:原沉积膜中ta-C石墨表层的消除会影响其受激电子的石墨建序化。应用发射电子能耗谱,表面增强拉曼光谱和表面敏化X光吸收光谱等测量方法,测定了其表层的消除(程度)。样品的氧等离子体刻蚀阻迟了受激电子的石墨化作用,可能归因于多相成核过程中石墨晶核的缺失之故. 展开更多
关键词 炭膜 表面 等离子体 石墨化
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