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硅微结构中热和机械应力的模拟
1
作者
Farzad.(?)ourahmadi
Phillipw.Barth
+1 位作者
kurt petersen
柯导明
《电子器件》
CAS
1990年第3期44-44,共1页
在高级硅微结构设计中有一个不可缺少的手段全今还未得到开发,这就是用来模拟复杂多层微结构的有限元方法和数据库.本文报道了一种模拟方法和许多例子.这种方法考虑了热诱导应力和其它一些参数,这些参数精确地预言了薄膜淀积、键合和封...
在高级硅微结构设计中有一个不可缺少的手段全今还未得到开发,这就是用来模拟复杂多层微结构的有限元方法和数据库.本文报道了一种模拟方法和许多例子.这种方法考虑了热诱导应力和其它一些参数,这些参数精确地预言了薄膜淀积、键合和封装过程.本方讨论了以下几个难题:(a)不同的绝缘体在硅膜片中产生不同的应力,这是一个很重要的问题,因为用作压力传感器的膜片随着技术的进展正变得越来越薄(5μm或更少些).(b)在硅膜片和梁上制作的金属线图案引起的复杂热应力模式.而这些模式除了用有限元计算外,任何方法分析起来都是困难的.
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关键词
硅
微结构
热效应
机械应力
模拟
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职称材料
题名
硅微结构中热和机械应力的模拟
1
作者
Farzad.(?)ourahmadi
Phillipw.Barth
kurt petersen
柯导明
机构
Novasensor
出处
《电子器件》
CAS
1990年第3期44-44,共1页
文摘
在高级硅微结构设计中有一个不可缺少的手段全今还未得到开发,这就是用来模拟复杂多层微结构的有限元方法和数据库.本文报道了一种模拟方法和许多例子.这种方法考虑了热诱导应力和其它一些参数,这些参数精确地预言了薄膜淀积、键合和封装过程.本方讨论了以下几个难题:(a)不同的绝缘体在硅膜片中产生不同的应力,这是一个很重要的问题,因为用作压力传感器的膜片随着技术的进展正变得越来越薄(5μm或更少些).(b)在硅膜片和梁上制作的金属线图案引起的复杂热应力模式.而这些模式除了用有限元计算外,任何方法分析起来都是困难的.
关键词
硅
微结构
热效应
机械应力
模拟
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅微结构中热和机械应力的模拟
Farzad.(?)ourahmadi
Phillipw.Barth
kurt petersen
柯导明
《电子器件》
CAS
1990
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