不同厚度铁电薄膜的制备及15nm Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)铁电晶体管性能研究

在铁电场效应晶体管(Ferroelectric Field Effect Transistor,FeFET)中,Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)(HZO)铁电薄膜的厚度是影响晶体管性能的关键参数。通过制备不同厚度铁电薄膜的铁电电容对其进行测试,选择最优厚度的铁电薄膜,设计制备一种15 nm Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)铁电薄膜的铁电晶体管——Si/HZO/W(MFS)栅极结构的铁电晶体管。它的剩余极化强度2Pr达到30μC·cm^(-2),具有高的循环稳定性和倍率性能,电压窗口达到1.2 V,在铁电存储器领域具有巨大的应用潜力。

低压化学气相沉积氮化硅薄膜工艺研究

低压化学气相沉积法(Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD)沉积的氮化硅薄膜(LPSi_(3)N_(4))具有质量高、副产物少、厚度均匀性好等特性,常应用于局部氧化的掩蔽膜、电容的介质膜、层间绝缘膜等工艺制程。介绍低压化学气相沉积氮化硅薄膜(LPSi_(3)N_(4))的制备工艺,以及不同工艺参数的调试对氮化硅薄膜均匀性和沉积速率的影响。

化学气相沉积技术在先进CMOS集成电路制造中的应用与发展

随着CMOS集成电路晶体管尺寸不断微缩及其制造工艺的日益复杂,对化学气相沉积CVD薄膜制备工艺的要求越来越高。本文主要研究了用于介质间隙填充的流CVD技术和用于SiGe选择性外延的亚常压CVD技术,重点介绍了它们的工艺原理和方法,以及薄膜材料质量及其关键影响因素。本文综述了CVD技术的特点、优势及其在先进CMOS制造工艺中的应用;面对更先进工艺应用中的挑战,分析了它们存在的问题,并讨论了可能的解决方案和应用前景。

基于局部对比度优化参数的能见度检测方法

本文针对传统能见度估计算法中雾霾系数设为固定值导致的能见度估计准确率较低的问题,提出了一种基于局部对比度优化雾霾参数的能见度估计方法。首先,对输入图像进行预处理,解决光照不均的问题;然后通过暗通道先验理论求取图像的暗原色及大气光,并对预处理后的图像进行分块处理;计算各区域块内的局部对比度,通过得到的局部对比度求取雾霾参数,进而得到全图各像素点对应的透射率值;最后经计算可得到大气消光系数和能见度值。经实验表明,本方法可在100~500 m内实现高精度检测,平均相对误差为15.21%,相对于其他方法本文方法精度高且运行速度更快。