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氟化物溶液腐蚀后硅表面形态的STM与XPS研究 被引量：1
1
作者 李静 吴孙桃 +1 位作者 叶建辉 li s f y 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期591-595,共5页
利用扫描隧道显微技术(STM)和X 射线光电子能谱(XPS)技术,研究了Si(111)在几种不同比例的NH4F HCl溶液中被腐蚀后的表面形态及洁净度.通过分析表面的STM图像与XPS谱图,表明在较高pH值的NH4F HCl溶液中被腐蚀的Si(111)表面粗糙度较小,且... 利用扫描隧道显微技术(STM)和X 射线光电子能谱(XPS)技术,研究了Si(111)在几种不同比例的NH4F HCl溶液中被腐蚀后的表面形态及洁净度.通过分析表面的STM图像与XPS谱图,表明在较高pH值的NH4F HCl溶液中被腐蚀的Si(111)表面粗糙度较小,且表面洁净度及化学稳定性较好. 展开更多
关键词 硅 半导体工艺 湿法腐蚀 氟化物溶液 表面形态 洁净度 STM XPS 表面粗糙度 化学稳定性
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