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熔盐/辐照环境中细结构等静压石墨的结构和化学稳定性研究
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作者 靳根 张鹤耀 +6 位作者 连鹏飞 程金星 王庆波 于艾 宋金亮 唐忠锋 刘占军 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期2331-2338,共8页
熔盐堆以石墨作为反射体和慢化体,熔盐与石墨直接接触,石墨在熔盐中的腐蚀反应和辐照损伤是值得研究的问题。本文采用自主研发的细结构石墨,阻隔熔盐浸渗,采用3.0 MeV He;模拟中子辐照,研究不同温度及熔盐环境下石墨微观形貌、微结构和... 熔盐堆以石墨作为反射体和慢化体,熔盐与石墨直接接触,石墨在熔盐中的腐蚀反应和辐照损伤是值得研究的问题。本文采用自主研发的细结构石墨,阻隔熔盐浸渗,采用3.0 MeV He;模拟中子辐照,研究不同温度及熔盐环境下石墨微观形貌、微结构和化学结构的变化。研究结果表明,高温环境下,由于高温的退火效应,石墨缺陷密度的增加及形貌的变化都远小于室温环境。辐照后的石墨与熔盐接触,其缺陷密度略微降低。这种微结构的改善与高温熔盐环境中的退火效应及熔盐固化引起内部微裂纹的闭合有关。辐照后的熔盐浸泡可在石墨C—C键结构中引入C—F键,且C—F键的形成与缺陷密度及缺陷类型密切相关。稳定的空位簇及间隙原子的迁移均会影响层间化合物的形成,从而产生限制C—F键形成的环境,进而降低由层间化合物的形成对石墨表面结构的破坏。 展开更多
关键词 熔盐堆 细结构等静压石墨 辐照行为 化学成键
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一种功率运算放大器失效机理的研究
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作者 廉鹏飞 孔泽斌 +5 位作者 陈倩 杨洋 李娟 祝伟明 楼建设 王昆黍 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第1期77-83,共7页
对一种功率运算放大器的失效问题进行了研究并分析了失效机理。功率运算放大器在测试时发生失效,同时,-20 V供电电源电压在加电过程中存在波动。通过内部目检发现失效芯片内部驱动晶体管及相连的金属均存在过流烧毁形貌。对失效功率运... 对一种功率运算放大器的失效问题进行了研究并分析了失效机理。功率运算放大器在测试时发生失效,同时,-20 V供电电源电压在加电过程中存在波动。通过内部目检发现失效芯片内部驱动晶体管及相连的金属均存在过流烧毁形貌。对失效功率运算放大器和良好功率运算放大器进行红外热成像分析,失效器件的温升总体比台温高10℃。通过失效分析,供电电源发生快速突跳导致了功率运算放大器内的晶体管在导通和关断之间快速切换形成热量累积效应,从而导致器件烧毁,造成功率运算放大器过流失效。对电源输出波形异常原因进行分析,电源限流过小导致电源电压降低,从而造成加电时快速突跳。最后,搭建测试电路对功率运算放大器进行复现实验,进一步证明了器件的失效机理。 展开更多
关键词 功率运算放大器 失效分析 电源 过流 限流
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一种集成稳压器的失效机理分析
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作者 廉鹏飞 刘楠 +2 位作者 孔泽斌 吉裕晖 陈萝娜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第11期869-875,共7页
对一种集成稳压器的失效问题进行了研究并分析了失效机理。通过内部目检、微光分析、扫描电镜及能谱分析,定位了集成稳压器的失效点。采用仿真和实验分别对稳压器的失效原因进行了分析和验证,搭建了输出端到公共端存在电流通路的等效电... 对一种集成稳压器的失效问题进行了研究并分析了失效机理。通过内部目检、微光分析、扫描电镜及能谱分析,定位了集成稳压器的失效点。采用仿真和实验分别对稳压器的失效原因进行了分析和验证,搭建了输出端到公共端存在电流通路的等效电路,计算并仿真了等效电路的I-V模型,测试结果表明,仿真I-V特性曲线与实际I-V特性曲线高度一致。通过复现试验,确认了导致稳压器失效的原因是输入端的高能量外部过电应力致使过热保护管开启,并在过流与过热的条件下产生与电流方向一致的电迁移痕迹,从而使过热保护管的集电极和发射极短路,引发稳压器失效。 展开更多
关键词 集成稳压器 失效 过热保护 过电应力 电迁移
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用于双陀螺组合的DC/DC模块失效分析
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作者 孔泽斌 廉鹏飞 +2 位作者 张辉 杨亮亮 姬青 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第10期795-800,共6页
针对应用在双陀螺组合中的DC/DC模块输入级VDMOS内引线熔断、输出级整流二极管发生短路的问题进行了失效分析。通过分析可知,DC/DC模块失效是由于其输出端整流二极管击穿短路,导致输入端电流异常增大,致使VDMOS的源极内引线过流熔断。... 针对应用在双陀螺组合中的DC/DC模块输入级VDMOS内引线熔断、输出级整流二极管发生短路的问题进行了失效分析。通过分析可知,DC/DC模块失效是由于其输出端整流二极管击穿短路,导致输入端电流异常增大,致使VDMOS的源极内引线过流熔断。通过对故障树进行试验和排查,整流二极管击穿是由于DC/DC模块瞬时启动重载使模块内部功率调节时产生个别幅度较高的电压毛刺;并且两路陀螺组合同时启动时,电源母线负载较大致使输入端的电压波动较大;加之整流二极管能量耐受力不够,三方面的原因共同造成DC/DC模块整流二极管被电压击穿,从而引发DC/DC模块失效。此外,根据失效原因提出了在DC/DC模块输出整流二极管两端并联RC吸收网络的改进措施。 展开更多
关键词 DC/DC模块 整流二极管 失效分析 启动重载 能量耐受力
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基于惰性C(sp^3)-H胺化反应设计合成新型伯胺-硫脲有机催化剂 被引量:1
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作者 练鹏飞 王训辉 张书宇 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期1335-1339,共5页
为了将碳氢活化策略应用于新型有机催化剂的合成,将开发的惰性C(sp^3)-H胺化方法作为关键步设计合成了新型伯胺-硫脲催化剂.首先,使用以苯丙氨酸为母核的底物,偶氮二甲酸二叔丁酯作为氮源,利用Pd催化的惰性C(sp^3)-H胺化方法获得相应的... 为了将碳氢活化策略应用于新型有机催化剂的合成,将开发的惰性C(sp^3)-H胺化方法作为关键步设计合成了新型伯胺-硫脲催化剂.首先,使用以苯丙氨酸为母核的底物,偶氮二甲酸二叔丁酯作为氮源,利用Pd催化的惰性C(sp^3)-H胺化方法获得相应的氨基化产物,并经简单转化获得有机催化剂中常见的手性1,2-二胺优势骨架.然后,进一步衍生合成了新型手性伯胺-硫脲双功能有机催化剂,并用核磁共振波谱、高分辨质谱等对其结构进行表征.最后,合成的催化剂还成功应用于催化异丁醛与硝基烯烃的不对称Michael加成反应.由于过渡金属催化的C-H活化具有简洁、高效、原子经济、无需预官能团化等优点,将其应用于小分子催化剂的开发无疑会使得催化剂的合成更为高效,结构更加多样. 展开更多
关键词 C-H胺化 伯胺 硫脲 有机催化
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一种锂离子电池管理芯片的失效定位
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作者 廉鹏飞 张辉 +5 位作者 祝伟明 莫艳图 蒋坤 孔泽斌 楼建设 王昆黍 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第12期961-966,共6页
针对一种锂离子电池管理芯片的失效定位进行了研究。某单机在测试时由于锂离子电池管理芯片失效,导致所采集的电压数据间歇异常跳变。经一致性分析,发现失效锂离子电池管理芯片老炼后的转换功耗和回读功耗与同批次芯片相比异常增加。通... 针对一种锂离子电池管理芯片的失效定位进行了研究。某单机在测试时由于锂离子电池管理芯片失效,导致所采集的电压数据间歇异常跳变。经一致性分析,发现失效锂离子电池管理芯片老炼后的转换功耗和回读功耗与同批次芯片相比异常增加。通过微光分析和版图对比,发现失效芯片中菊花链电流比较器的NMOS管存在漏电缺陷。对比较器工作原理进行进一步分析,并分析了SCLK接口和CNVST接口的翻转阈值与功耗变化量之间的关系,确认了芯片失效是由于NMOS管漏电所导致,且通过电老炼可以暴露NMOS管的漏电缺陷。最后,针对器件功耗变化量与内部NMOS管漏电之间的关系进行了仿真和计算,定量验证了锂离子电池管理芯片老炼后功耗的增加是由于比较器NMOS管漏电引起的。 展开更多
关键词 锂离子电池管理芯片 失效 比较器 功耗 翻转阈值
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社区老年人体智锻炼与轻度认知障碍患病关联性的城乡差异 被引量:1
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作者 廉鹏飞 刘璋 +7 位作者 曾燕 刘丹 程桂荣 杨萌柳 余亚夫 张晶晶 周福凯 许浪 《中华疾病控制杂志》 CAS CSCD 北大核心 2023年第10期1128-1132,1139,共6页
目的调查社区老年人体智锻炼与轻度认知障碍(mild cognitive impairment,MCI)患病关联性及城乡差异。方法基于湖北老年记忆队列(Hubei Memory and Aging Cohort Study,HMACS),根据体智锻炼参与情况将社区老人分为:无锻炼(no exercise,NE... 目的调查社区老年人体智锻炼与轻度认知障碍(mild cognitive impairment,MCI)患病关联性及城乡差异。方法基于湖北老年记忆队列(Hubei Memory and Aging Cohort Study,HMACS),根据体智锻炼参与情况将社区老人分为:无锻炼(no exercise,NE)、仅体育锻炼(physical exercise only,PE)、仅智力练习(cognitive activity only,CA)和体智锻炼(physical exercise and cognitive activity,PE+CA)组。采用多因素logistic回归分析模型分析体智锻炼与MCI患病的关联性及其城乡差异。结果共纳入8365人,平均年龄为(71.67±5.52)岁,MCI患病率为23.22%(95%CI:22.31%~24.12%),且农村(41.00%)高于城市(13.61%)。PE、CA、PE+CA组人群MCI的患病风险均低于NE组(均P<0.05)。进一步分析发现,农村PE组(OR=0.646,95%CI:0.542~0.771)、城市CA组(OR=0.684,95%CI:0.487~0.961)会降低MCI的患病风险(均P<0.05)。结论农村MCI患病率高于城市;体智锻炼会降低MCI患病风险;城乡间单一锻炼与MCI患病的关联存在不同,在制定健康老年化认知障碍类疾病干预策略时,应考虑文化背景和城乡差异。 展开更多
关键词 老年人 体智锻炼 轻度认知障碍 患病率
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湖北省社区65岁及以上老年人痴呆患病率及其与多病共患的关联性
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作者 周福凯 谭伟 +7 位作者 刘丹 程桂荣 许浪 廉鹏飞 杨萌柳 余亚夫 张晶晶 曾燕 《中华疾病控制杂志》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期627-632,共6页
目的探究社区老年人痴呆患病率及其危险因素,重点分析多病共患与痴呆患病的关联。方法研究对象来自湖北老年记忆队列(注册号:ChiCTR1800019164)的基线调查(2018―2020年)数据,根据统一纳入排除标准,共纳入8221名≥65岁老人,他们完成全... 目的探究社区老年人痴呆患病率及其危险因素,重点分析多病共患与痴呆患病的关联。方法研究对象来自湖北老年记忆队列(注册号:ChiCTR1800019164)的基线调查(2018―2020年)数据,根据统一纳入排除标准,共纳入8221名≥65岁老人,他们完成全套神经心理评估和临床体检。根据高血压、糖尿病、冠心病及脑血管疾病共病状态(多病共患为同时患有两种或以上的慢性病)将研究对象分为两组:无共患病组、共患病组,基于居住地采用多因素logistic回归分析模型分析痴呆危险因素。结果总人群、城市人群和农村人群的痴呆标化患病率分别为7.06%(95%CI:6.40%~7.72%)、4.34%(95%CI:3.81%~4.87%)和11.53%(95%CI:10.70%~12.35%),其中共患病者的痴呆患病率均高于无共患病者的痴呆患病率。高龄、无配偶、体力活动缺乏及智力活动缺乏是痴呆患病的危险因素,多病共患与痴呆有紧密的联系。共患病组的痴呆患病风险为无共患病组的1.299倍(OR=1.299,95%CI:1.079~1.563,P=0.006)。结论慢性病共患增加痴呆的患病风险,农村与城市人群差异明显,因此需要针对社区老年人群开展痴呆及多病共患的干预,落实家庭医生制,以降低痴呆患病率。 展开更多
关键词 社区老年人 多病共患 痴呆患病率 湖北老年记忆队列 危险因素
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High Performance SAR ADC with Mismatch Correction Latch and Improved Comparator Clock
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作者 lian pengfei WU Bin +2 位作者 WANG Han PU Yilin CHEN Chengying 《Journal of Shanghai Jiaotong university(Science)》 EI 2019年第3期335-340,共6页
We propose a high performance 10-bit 100-MS/s(million samples per second)successive approximation register(SAR)analog-to-digital converter(ADC)with mismatch correction latch and improved comparator clock.Using a high-... We propose a high performance 10-bit 100-MS/s(million samples per second)successive approximation register(SAR)analog-to-digital converter(ADC)with mismatch correction latch and improved comparator clock.Using a high-low supply voltage technology,the bias output impedance of the preamplifier of the comparator is increased.Therefore,the common mode rejection ratio(CMRR)of the comparator is improved,and further diminishing the signal-dependent offset caused by the input common-mode voltage variation.A digital-to-analog converter(DAC)control signal correction latch is proposed to correct the control signal error resulted from process mismatch.The 30-point Monte Carlo mismatch simulated results demonstrate that the minimum spurious-free dynamic range(SFDR)of the ADC is improved by 2 dB with this correction latch.To ensure sufficient high bit switching time of the DAC and sufficient low bit comparison time of the comparator,a data selector used in the comparator clock is presented.The optimized time distribution improves the performance of the SAR ADC.This prototype was fabricated using a one-poly-eight-metal(1 P8 M)55 nm complementary metal oxide semiconductor(CMOS)technology.With measured results at 1.3 V/1.5 V supply and 100-MS/s,the ADC achieves a signalto-noise and distortion ratio(SNDR)of 59.4 dB and consumes 2.1 mW,resulting in a figure of merit(FOM)of31 fJ/conversion-step.In addition,the active area of the ADC is 0.018 8 mm2. 展开更多
关键词 analog-to-digital converter successive approximation register high-low supply voltage mismatch correction data selector
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