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近存计算架构AI芯片中子单粒子效应
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作者 杨卫涛 胡志良 +11 位作者 何欢 莫莉华 赵小红 宋伍庆 易天成 梁天骄 贺朝会 李永宏 王斌 吴龙胜 刘欢 时光 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第13期378-385,共8页
利用中国散裂中子源大气中子辐照谱仪,对某款16 nm FinFET工艺制造的近存计算架构人工智能AI芯片进行了大气中子单粒子效应辐照测试研究.辐照测试中,在累积中子注量为1.51×10^(10)n/cm^(2)(1 MeV以上)情况下,共探测到5类共计35个... 利用中国散裂中子源大气中子辐照谱仪,对某款16 nm FinFET工艺制造的近存计算架构人工智能AI芯片进行了大气中子单粒子效应辐照测试研究.辐照测试中,在累积中子注量为1.51×10^(10)n/cm^(2)(1 MeV以上)情况下,共探测到5类共计35个软错误,尤其是探测到不同于传统冯诺伊曼架构芯片单粒子效应的计算与存储单元同时发生单粒子效应新现象.基于所探测到的两类功能单元同时单粒子效应新现象,结合蒙特卡罗仿真模拟,初步给出了近存计算架构AI芯片内物理布局上,核心功能单元间可降低同时发生单粒子效应的安全间距建议.该研究为进一步探究非传统冯诺伊曼架构芯片单粒子效应提供了参考与借鉴. 展开更多
关键词 近存计算 AI芯片 散裂中子源 大气中子 单粒子效应
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14 nm FinFET和65 nm平面工艺静态随机存取存储器中子单粒子翻转对比 被引量:9
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作者 张战刚 雷志锋 +8 位作者 童腾 李晓辉 王松林 梁天骄 习凯 彭超 何玉娟 黄云 恩云飞 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期133-140,共8页
使用中国散裂中子源提供的宽能谱中子束流,开展14 nm FinFET工艺和65 nm平面工艺静态随机存取存储器中子单粒子翻转对比研究,发现相比于65 nm器件,14 nm FinFET器件的大气中子单粒子翻转截面下降至约1/40,而多位翻转比例从2.2%增大至7.... 使用中国散裂中子源提供的宽能谱中子束流,开展14 nm FinFET工艺和65 nm平面工艺静态随机存取存储器中子单粒子翻转对比研究,发现相比于65 nm器件,14 nm FinFET器件的大气中子单粒子翻转截面下降至约1/40,而多位翻转比例从2.2%增大至7.6%,源于14 nm FinFET器件灵敏区尺寸(80 nm×30 nm×45 nm)、间距和临界电荷(0.05 fC)的减小.不同于65 nm器件对热中子免疫的现象,14 nm FinFET器件中M0附近10B元素的使用导致其表现出一定的热中子敏感性.进一步的中子输运仿真结果表明,高能中子在器件灵敏区中产生的大量的射程长、LET值大的高Z二次粒子是多位翻转的产生诱因,而单粒子翻转主要来自于p,He,Si等轻离子的贡献. 展开更多
关键词 FINFET 中子 单粒子翻转 核反应
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鹅不食草的研究进展 被引量:14
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作者 冉茂莲 何文生 +1 位作者 梁天娇 李小丽 《中南药学》 CAS 2019年第11期1874-1879,共6页
鹅不食草[Centipeda minima(L.)A.Br.et Aschers]为常用中药,应用历史悠久,具有发散风寒、通鼻窍、止咳的功效。本文就近年来鹅不食草的化学成分、质量评价、药理作用、不良反应及释药系统等进行了全面综述,以期为其临床应用及产品开发... 鹅不食草[Centipeda minima(L.)A.Br.et Aschers]为常用中药,应用历史悠久,具有发散风寒、通鼻窍、止咳的功效。本文就近年来鹅不食草的化学成分、质量评价、药理作用、不良反应及释药系统等进行了全面综述,以期为其临床应用及产品开发提供依据。近年来,国内外学者对鹅不食草的药理作用进行了广泛研究,取得了巨大进展,因此对鹅不食草的有效成分加以开发利用,发掘新药,将对传统中药鹅不食草的开发具有重要意义。 展开更多
关键词 鹅不食草 化学成分 指纹图谱 质量评价 药理作用 不良反应 释药系统
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Ion Acceleration by an Electrostatic Field in the Interaction Between Femtosecond Laser Pulses and Solid Targets 被引量:1
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作者 DONG Quan-Li ZHANG Jie +3 位作者 liang tian-jiao ZHANG Ping CHEN Li-Ming TANG Xiao-Wei 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2001年第6期796-798,共3页
We have studied the ion emission in the interaction between femtosecond laser pulses and solid targets by experiments and particle-in-cell(PIC)simulations.We found experimentally that almost all of the fast ions are c... We have studied the ion emission in the interaction between femtosecond laser pulses and solid targets by experiments and particle-in-cell(PIC)simulations.We found experimentally that almost all of the fast ions are confined within a cone symmetrically around the normal direction of targets.The PIC simulation results demonstrate that the fast ion beam can be accelerated by the laser-induced electrostatic field in front of solid targets. 展开更多
关键词 FEMTO LASER ELECTROSTATIC
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Effects of Polarization on Super-hot Electron Generation in Femtosecond Laser-Plasma Interaction
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作者 ZHANG Ping liang tian-jiao +8 位作者 CHEN Li-Ming LI Yu-Tong CHEN Duan-Bao LI Zu-Hao HE Jing-Tang WEI Zhi-yi WANG Long TANG Xiao-wei ZHANG Jie 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2001年第10期1374-1376,共3页
The effects of laser polarization on super-hot electron (> 100 keV) generation have been studied in the interaction of femtosecond laser light (800 nm, 150 fs, 6 × 10^(15) W·cm^(-2)) with a pre-formed pla... The effects of laser polarization on super-hot electron (> 100 keV) generation have been studied in the interaction of femtosecond laser light (800 nm, 150 fs, 6 × 10^(15) W·cm^(-2)) with a pre-formed plasma from a slab Cu target. For p-polarized laser pulses, high-energy γ-rays of the energy ~400keV were detected. The electron temperatures deduced from the γ-ray spectra were 66 and 52keV, respectively, in normal and reflective directions of the solid target, and hot electrons were emitted out of the plasma mainly in the normal direction. In contrast, there were nearly no γ-rays >100keV found for s-polarized laser pulses. The hot electron temperature was 26keV and the emission of hot electrons was parallel to the laser field. The superposition of resonant field with electrostatic field excited by escaping electrons may contribute to the high-energy γ-ray or super-hot electron (> 100 keV) generation. 展开更多
关键词 field. POLARIZED POLARIZATION
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基于专利分析研究丙烯酸合成技术发展态势
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作者 方曦 梁天娇 尤宇 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2022年第7期21-27,共7页
由于国内政策一直鼓励丙烯酸树脂产业向高技术方向发展,虽然目前产能很大,但国内对丙烯酸树脂产业的投资热情不减。识别市场主要竞争对手、对标竞争对手专利布局方向,对行业内重点专利进行分析并把握丙烯酸合成技术的热点研发方向,显得... 由于国内政策一直鼓励丙烯酸树脂产业向高技术方向发展,虽然目前产能很大,但国内对丙烯酸树脂产业的投资热情不减。识别市场主要竞争对手、对标竞争对手专利布局方向,对行业内重点专利进行分析并把握丙烯酸合成技术的热点研发方向,显得尤为重要。通过对丙烯酸合成技术进行专利导航分析,从专利申请趋势、技术发展周期、地域分布、专利申请人、技术构成、技术分支申请趋势角度出发,利用SPSS软件对丙烯酸合成技术的发展趋势进行预测,从而充分认识丙烯酸产业的整体发展趋势。建议企业应围绕基本专利构筑外围专利网、根据研发热点确定研发方向、考虑将丙烯酸合成技术转化为金融工具,助力企业发展。 展开更多
关键词 丙烯酸合成技术 专利分析 预测
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