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下调METTL5通过Wnt/β-catenin信号通路抑制三阴乳腺癌细胞增殖、迁移与侵袭 被引量:1
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作者 吴坤琳 严乾壹 +2 位作者 王德星 缪秀英 张惠灏 《中国药理学通报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期285-291,共7页
目的探讨甲基转移酶5(methyltransferase-like 5,METTL5)在三阴乳腺癌(triple-negative breast cancer,TNBC)中的作用和潜在机制。方法采用免疫组织化学方法和Western blot检测TNBC肿瘤组织和细胞系中METTL5的表达情况。用靶向METTL5的s... 目的探讨甲基转移酶5(methyltransferase-like 5,METTL5)在三阴乳腺癌(triple-negative breast cancer,TNBC)中的作用和潜在机制。方法采用免疫组织化学方法和Western blot检测TNBC肿瘤组织和细胞系中METTL5的表达情况。用靶向METTL5的shRNA(shRNA-METTL5)转染TNBC细胞后,用CCK-8、集落形成、伤口愈合以及Transwell实验分别检测细胞增殖活性、迁移与侵袭,Western blot检测Wnt/β-catenin信号关键蛋白的表达。构建异种移植瘤模型,验证敲降METTL5对TNBC细胞在体内生长以及Wnt/β-catenin信号活性的影响。结果METTL5在TNBC肿瘤组织和细胞系中表达上调(P<0.01)。敲降METTL5可抑制TNBC细胞的增殖、迁移和侵袭并降低了Wnt/β-catenin信号分子β-catenin、细胞周期蛋白(Cyclin)D1、基质金属蛋白酶(MMP)-2和MMP-7的表达(均P<0.01)。体内实验显示,敲降METTL5减缓了移植瘤生长和Wnt/β-catenin信号活性。结论敲降METTL5能抑制TNBC细胞的增殖、迁移与侵袭,其作用可能与抑制Wnt/β-catenin信号通路有关。 展开更多
关键词 三阴乳腺癌 甲基转移酶5 m6A甲基化 WNT/Β-CATENIN 增殖 迁移 侵袭
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一种大批量多品种后向反馈容重比平衡货物配装法 被引量:2
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作者 谢贻文 廖秀英 +1 位作者 林剑 曾祥飞 《科学技术与工程》 北大核心 2020年第8期3128-3133,共6页
货物配装问题是指一批不同类型的货物如何用最少车辆完成配载的问题。大批量货物是指1单货物由多个同体积和质量的单元(件数)组成,总量大于单个车辆装载量。针对大批量货物配装除了货物类型配装,还存在拆单(数量配装)问题。首先,利用线... 货物配装问题是指一批不同类型的货物如何用最少车辆完成配载的问题。大批量货物是指1单货物由多个同体积和质量的单元(件数)组成,总量大于单个车辆装载量。针对大批量货物配装除了货物类型配装,还存在拆单(数量配装)问题。首先,利用线性规划方法分别按货物体积和质量进行车辆规划,根据货物的总容重比确定采用车辆规划类型,然后,以货物的总容重比和车辆容重比制定容重比平衡规则,当1单货物不满足容重比平衡规则时,用后向反馈法进行拆单,即根据后续待装货物容重比,确定当前载入货物的数量。该方法与其他两种方法对比,体积装载率分别提高18.7%和16.09%,质量装载率分别提高0.95%和8.57%,用实际商业物流配送数据试验,体积与质量装载率都达到87%以上。 展开更多
关键词 货物配装 后向反馈 容重比平衡 车辆配装 构造启发式算法
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Stress-strain Analysis of p-type GaN Films Material
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作者 liao xiu-ying ZHU Yan-ling +5 位作者 YANG Xiao-bo ZHAO Hong ZHAO Wen-bo ZHOU Xun ZOU Ze-ya ZENG Qing-gao 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2008年第4期224-228,273,共6页
The crystal quality of p-GaN film depends on the stress-strain during the process of material growth at a certain extent. A smooth high-quality GaN epitaxial layer was grown on sapphire substrate using standard low-te... The crystal quality of p-GaN film depends on the stress-strain during the process of material growth at a certain extent. A smooth high-quality GaN epitaxial layer was grown on sapphire substrate using standard low-temperature(LT) buffer layer by MOCVD. And by testing analysis of correlative experiments,we found that the stress-strain of p-type GaN could be changed by annealing,enhancing the crystal quality. 展开更多
关键词 MOCVD GAN STRESS-STRAIN ANNEAL
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