本文以顶栅结构的石墨烯场效应晶体管(graphene field effect transistors,GFET)为研究对象,开展了不同偏置电压条件下的电应力可靠性研究.实验结果表明,在不同偏置电压条件的电应力作用下,GFET的载流子迁移率随着电应力时间的延长均不...本文以顶栅结构的石墨烯场效应晶体管(graphene field effect transistors,GFET)为研究对象,开展了不同偏置电压条件下的电应力可靠性研究.实验结果表明,在不同偏置电压条件的电应力作用下,GFET的载流子迁移率随着电应力时间的延长均不断退化,而不同偏置电压条件的电应力对狄拉克电压(VDirac)的漂移方向和退化程度的影响不同;栅极电应力与漏极电应力造成器件的VDirac漂移方向相反,且栅极电应力要比栅极和漏极电压同时施加的电应力导致GFET的VDirac退化程度更加明显.分析原因表明,不同偏置电压条件下的电应力实验在器件中产生的电场方向不同,从而会影响载流子浓度和移动方向.诱导沟道中的电子和空穴隧穿进入氧化层,被氧化层中缺陷和石墨烯/氧化层界面处的陷阱俘获,形成氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷,从而导致GFET的载流子迁移率降低.而电应力产生陷阱电荷的带电类型差异是造成VDirac漂移方向不同的主要原因.论文结合TCAD仿真,进一步揭示了电应力感生陷阱电荷对GFET的VDirac产生影响的仿真模型.相关研究为石墨烯器件的实际应用提供了数据和理论支撑.展开更多
本文针对不同结构、尺寸的石墨烯场效应晶体管(graphene field effect transistors,GFET)开展了基于10 keV-X射线的总剂量效应研究.结果表明,随累积剂量的增大,不同结构GFET的狄拉克电压V_(Dirac)和载流子迁移率μ不断退化;相比于背栅型...本文针对不同结构、尺寸的石墨烯场效应晶体管(graphene field effect transistors,GFET)开展了基于10 keV-X射线的总剂量效应研究.结果表明,随累积剂量的增大,不同结构GFET的狄拉克电压V_(Dirac)和载流子迁移率μ不断退化;相比于背栅型GFET,顶栅型GFET的辐射损伤更加严重;尺寸对GFET器件的总剂量效应决定于器件结构;200μm×200μm尺寸的顶栅型GFET损伤最严重,而背栅型GFET是50μm×50μm尺寸的器件损伤最严重.研究表明:对于顶栅型GFET,辐照过程中在栅氧层中形成的氧化物陷阱电荷的积累是V_(Dirac)和μ降低的主要原因.背栅型GFET不仅受到辐射在栅氧化层中产生的陷阱电荷的影响,还受到石墨烯表面的氧吸附的影响.在此基础上,结合TCAD仿真工具实现了顶栅器件氧化层中辐射产生的氧化物陷阱电荷对器件辐射响应规律的仿真.相关研究结果对于石墨烯器件的抗辐照加固研究具有重大意义.展开更多
头皮脑电信号在临床上常常被用来诊断癫痫脑疾病,但是其高噪声、强干扰、非线性和非平稳的特点会影响临床诊断和科学研究.为了更好地解决这一问题,采用现有的MNELAB软件和经验模态分解(empirical model decomposition,EMD)去处理癫痫脑...头皮脑电信号在临床上常常被用来诊断癫痫脑疾病,但是其高噪声、强干扰、非线性和非平稳的特点会影响临床诊断和科学研究.为了更好地解决这一问题,采用现有的MNELAB软件和经验模态分解(empirical model decomposition,EMD)去处理癫痫脑电信号(Electroencephalogram,EEG).经过对比实验发现,基于MNELAB和EMD的伪迹和噪声去除方法都获得了较好的效果,但是利用EMD算法编写的程序能够进行多通道大批量的信号处理,这种方法在自主性和透明性等方面都要优于使用现有软件.良好的伪迹和噪声去除方法能够为临床诊断和EEG的科学研究提供重要的手段和前提.展开更多
The present study was designed to further investigate the C_(21) steroidal glycosides in Cynanchum plants.Two new steroidal glycosides based on a 13,14:14,15-disecopregnane-type aglycone,komaroside P(1) and komaroside...The present study was designed to further investigate the C_(21) steroidal glycosides in Cynanchum plants.Two new steroidal glycosides based on a 13,14:14,15-disecopregnane-type aglycone,komaroside P(1) and komaroside Q(2),together with three known compounds(3-5) were isolated from the whole herbs of Cynanchum komarovii.The aglycones of compounds 1 and 2 were two new disecopregnane.Their structures were elucidated on the basis of 1 D,2 D NMR spectroscopic data and acid hydrolysis.All the compounds(1-5) showed potent inhibitory activities against human leukemia cell lines(HL-60) with IC50 values ranging from 16.6 to 26.3 μmol·L^(-1),compared to the positive control 5-fluorouracil(6.4 μmol·L^(-1)).展开更多
目的探讨乙型肝炎病毒DNA(Hepatitis B virus DNA,HBV-DNA)、乙型肝炎病毒基因型(Hepatitis B virus genotype,HBV-GT)、乙型肝炎病毒e抗原(Hepatitis B virus e antigen,HBeAg)、乙型肝炎病毒耐药位点(HBV-resistance mutation sites,H...目的探讨乙型肝炎病毒DNA(Hepatitis B virus DNA,HBV-DNA)、乙型肝炎病毒基因型(Hepatitis B virus genotype,HBV-GT)、乙型肝炎病毒e抗原(Hepatitis B virus e antigen,HBeAg)、乙型肝炎病毒耐药位点(HBV-resistance mutation sites,HBV-RMS)检测在母婴传播阻断中的价值。方法收集十堰市人民医院(湖北医药学院附属人民医院)2015年1月-2018年2月718例妊娠期和备孕期HBV携带者、慢性乙型肝炎(Chronic hepatitis B,CHB)、肝功能衰竭患者,计划实施母婴传播阻断者。检测HBV-DNA、HBeAg、HBV-GT、HBV-RMS、肝功能、凝血功能。将全部病例分为HBV-GT B组、HBV-GT C组,统计两组高HBV-DNA(HBV-DNA≥1+E005 IU/ml)患者数、HBV-RMS患者数、HBeAg阳性患者数、CHB患者数、慢加急性肝功能衰竭(Acute chronic liver failure,ACLF)患者数。结果(1)HBV-GT:HBV-GT B 490例(68.25%),HBV-GT C 212例(29.53%),HBV-GT D 4例(0.56%),HBV-GT B+C 8例(1.11%),HBV-GT C+D 4例(0.55%)。(2)HBV-RMS:检出6例HBV-RMS患者(0.84%),妊娠早期、妊娠中期、妊娠晚期各2例;ACLF 1例,CHB 5例;HBV-GT B患者1例、HBV-GT C患者5例(χ2=5.8874,P=0.0153)。(3)HBV-DNA和HBeAg:HBV-GT B高病毒载量288例(58.77%)、HBV-GT C高病毒载量149例(70.28%),差异有统计学意义(χ2=9.2227,P=0.0024)。HBV-GT B患者HBeAg阳性308例(62.86%);HBV-GT C患者HBeAg阳性155例(73.11%),差异有统计学意义(χ2=7.8298,P=0.0051)。(4)CHB患者:CHB患者127例(17.89%);HBV-GT B患者68例(13.65%)、HBV-GT C患者59例(27.83%),差异有统计学意义(χ2=19.3901,P=0.0091);经抗病毒、护肝治疗恢复正常。结论高HBV-DNA、HBeAg阳性是母婴传播危险因素,HBV-GT C是病毒耐药的危险因素。在HBV-DNA、HBeAg、HBV-GT、HBV-RMS检测指导下,可提高HBV母婴传播阻断技术成功率和安全性。展开更多
文摘本文以顶栅结构的石墨烯场效应晶体管(graphene field effect transistors,GFET)为研究对象,开展了不同偏置电压条件下的电应力可靠性研究.实验结果表明,在不同偏置电压条件的电应力作用下,GFET的载流子迁移率随着电应力时间的延长均不断退化,而不同偏置电压条件的电应力对狄拉克电压(VDirac)的漂移方向和退化程度的影响不同;栅极电应力与漏极电应力造成器件的VDirac漂移方向相反,且栅极电应力要比栅极和漏极电压同时施加的电应力导致GFET的VDirac退化程度更加明显.分析原因表明,不同偏置电压条件下的电应力实验在器件中产生的电场方向不同,从而会影响载流子浓度和移动方向.诱导沟道中的电子和空穴隧穿进入氧化层,被氧化层中缺陷和石墨烯/氧化层界面处的陷阱俘获,形成氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷,从而导致GFET的载流子迁移率降低.而电应力产生陷阱电荷的带电类型差异是造成VDirac漂移方向不同的主要原因.论文结合TCAD仿真,进一步揭示了电应力感生陷阱电荷对GFET的VDirac产生影响的仿真模型.相关研究为石墨烯器件的实际应用提供了数据和理论支撑.
文摘本文针对不同结构、尺寸的石墨烯场效应晶体管(graphene field effect transistors,GFET)开展了基于10 keV-X射线的总剂量效应研究.结果表明,随累积剂量的增大,不同结构GFET的狄拉克电压V_(Dirac)和载流子迁移率μ不断退化;相比于背栅型GFET,顶栅型GFET的辐射损伤更加严重;尺寸对GFET器件的总剂量效应决定于器件结构;200μm×200μm尺寸的顶栅型GFET损伤最严重,而背栅型GFET是50μm×50μm尺寸的器件损伤最严重.研究表明:对于顶栅型GFET,辐照过程中在栅氧层中形成的氧化物陷阱电荷的积累是V_(Dirac)和μ降低的主要原因.背栅型GFET不仅受到辐射在栅氧化层中产生的陷阱电荷的影响,还受到石墨烯表面的氧吸附的影响.在此基础上,结合TCAD仿真工具实现了顶栅器件氧化层中辐射产生的氧化物陷阱电荷对器件辐射响应规律的仿真.相关研究结果对于石墨烯器件的抗辐照加固研究具有重大意义.
文摘头皮脑电信号在临床上常常被用来诊断癫痫脑疾病,但是其高噪声、强干扰、非线性和非平稳的特点会影响临床诊断和科学研究.为了更好地解决这一问题,采用现有的MNELAB软件和经验模态分解(empirical model decomposition,EMD)去处理癫痫脑电信号(Electroencephalogram,EEG).经过对比实验发现,基于MNELAB和EMD的伪迹和噪声去除方法都获得了较好的效果,但是利用EMD算法编写的程序能够进行多通道大批量的信号处理,这种方法在自主性和透明性等方面都要优于使用现有软件.良好的伪迹和噪声去除方法能够为临床诊断和EEG的科学研究提供重要的手段和前提.
基金supported by the National Natural Science Foundation of China(No.31370375)
文摘The present study was designed to further investigate the C_(21) steroidal glycosides in Cynanchum plants.Two new steroidal glycosides based on a 13,14:14,15-disecopregnane-type aglycone,komaroside P(1) and komaroside Q(2),together with three known compounds(3-5) were isolated from the whole herbs of Cynanchum komarovii.The aglycones of compounds 1 and 2 were two new disecopregnane.Their structures were elucidated on the basis of 1 D,2 D NMR spectroscopic data and acid hydrolysis.All the compounds(1-5) showed potent inhibitory activities against human leukemia cell lines(HL-60) with IC50 values ranging from 16.6 to 26.3 μmol·L^(-1),compared to the positive control 5-fluorouracil(6.4 μmol·L^(-1)).
