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散热底板对IGBT模块功率循环老化寿命的影响 被引量:2
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作者 常桂钦 罗海辉 +2 位作者 方超 陈杰 黄永章 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第8期2485-2495,共11页
功率半导体模块通常采用减小结壳热阻的方式来降低工作结温,集成Pin-Fin基板代替平板基板是一种有效的选择。两种封装结构的热阻抗特性不同,可能对其失效机理及应用寿命产生影响。针对平板基板和集成Pin-Fin基板两种常见车规级IGBT模块... 功率半导体模块通常采用减小结壳热阻的方式来降低工作结温,集成Pin-Fin基板代替平板基板是一种有效的选择。两种封装结构的热阻抗特性不同,可能对其失效机理及应用寿命产生影响。针对平板基板和集成Pin-Fin基板两种常见车规级IGBT模块进行了相同热力测试条件(结温差100 K,最高结温150℃)下的功率循环试验,结果表明,散热更强的Pin-Fin模块功率循环寿命低于平板模块。失效分析显示,两者失效模式均为键合线脱附,但Pin-Fin模块的键合失效点集中在芯片中心区域,而平板模块的键合失效点则较为分散。基于电-热-力耦合分析方法,建立功率循环试验的有限元仿真模型,结果表明,Pin-Fin模块的芯片温变梯度更大,芯片中心区域键合点温度更高,使芯片中心区域的键合点塑性变形更大,导致其寿命较平板模块更短,与试验结果吻合。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 散热底板 热阻抗 功率循环寿命 有限元分析
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基于教材的翻译课程“思政素材”探析 被引量:6
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作者 骆海辉 李云涛 《绵阳师范学院学报》 2020年第6期16-21,共6页
以凸显翻译课程“思政味”为目的,梳理《新编汉英翻译教程》蕴含的译者素养、译家楷模、职业意识、语言美育及学法指导等五个“思政”主题;开展以教材为基础引用、更新和引入“思政素材”的实践探索,以增强“守好一段渠、种好责任田”... 以凸显翻译课程“思政味”为目的,梳理《新编汉英翻译教程》蕴含的译者素养、译家楷模、职业意识、语言美育及学法指导等五个“思政”主题;开展以教材为基础引用、更新和引入“思政素材”的实践探索,以增强“守好一段渠、种好责任田”的自觉性和主动性。 展开更多
关键词 翻译课程 课程思政 教学素材
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活化过一硫酸盐强化调理污泥脱水研究 被引量:2
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作者 罗海慧 蓝梅 +1 位作者 应媛媛 黄文清 《工业用水与废水》 CAS 2023年第1期80-84,共5页
为强化过硫酸盐氧化技术改善污泥调理的效果,提高污泥的脱水性能,采用Fe(Ⅱ)活化过一硫酸盐(PMS)对市政污泥进行调理。在单因素试验的基础上,利用Box-Behnken设计的响应曲面法,以毛细吸水时间(CST)降低率为响应值,对PMS搅拌转速、PMS搅... 为强化过硫酸盐氧化技术改善污泥调理的效果,提高污泥的脱水性能,采用Fe(Ⅱ)活化过一硫酸盐(PMS)对市政污泥进行调理。在单因素试验的基础上,利用Box-Behnken设计的响应曲面法,以毛细吸水时间(CST)降低率为响应值,对PMS搅拌转速、PMS搅拌时间、FeSO_(4)搅拌转速、FeSO_(4)搅拌时间4个影响因素进行优化,结果表明,在PMS搅拌转速为100r/min,PMS搅拌时间为19min,FeSO_(4)搅拌转速为230r/min,FeSO_(4)搅拌时间为60min的条件下,CST降低率可达到59.94%,表明过硫酸盐体系的搅拌优化对于污泥调理环节有着强化作用。 展开更多
关键词 过硫酸盐 污泥脱水 响应曲面法 硫酸根自由基
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高功率密度3600A/4500V压接型IGBT研制 被引量:16
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作者 刘国友 窦泽春 +2 位作者 罗海辉 覃荣震 黄建伟 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第16期4855-4862,共8页
该文基于柔性直流输电对大容量压接型绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的应用需求,首创大尺寸方形陶瓷压接外壳、21×21mm2大尺寸高性能IGBT及其配套快速恢复二极管(fast recovery diode,FRD)芯片、... 该文基于柔性直流输电对大容量压接型绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的应用需求,首创大尺寸方形陶瓷压接外壳、21×21mm2大尺寸高性能IGBT及其配套快速恢复二极管(fast recovery diode,FRD)芯片、独特结构的压接子单元,大幅度降低了芯片损耗、提高了单芯片电流容量;解决压接封装中的压力均衡、芯片均流等关键技术难题,成功研制高功率密度3600A/4500V压接型IGBT,具有导通损耗低、开关能力强、双面散热、失效短路的优点,功率容量与功率密度提高到一个新的水平,满足柔性直流输电应用需求。 展开更多
关键词 高功率密度 压接型 绝缘栅双极晶体管 快速恢复二极管
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基于全铜工艺的750A/6500V高性能IGBT模块 被引量:11
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作者 刘国友 罗海辉 +2 位作者 张鸿鑫 王彦刚 潘昭海 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第21期4501-4510,共10页
高压大容量IGBT模块内部异质材料热膨胀系数失配是模块疲劳老化失效的主要机理。为了降低模块异质材料间热膨胀系数的差异,提高其功率循环能力与长期运行可靠性,该文提出功率模块采用全铜材料实线电学互连的思路,系统地研究了IGBT芯片... 高压大容量IGBT模块内部异质材料热膨胀系数失配是模块疲劳老化失效的主要机理。为了降低模块异质材料间热膨胀系数的差异,提高其功率循环能力与长期运行可靠性,该文提出功率模块采用全铜材料实线电学互连的思路,系统地研究了IGBT芯片铜金属化、铜引线键合与铜母线端子超声焊接等新技术,实现了IGBT功率模块全铜化封装的成套工艺,研发了基于全铜工艺的大容量高性能750A/6500V IGBT模块,首次实现了全铜工艺的高压模块。与传统铝工艺相比,全铜工艺模块不仅使导通损耗降低了10%、浪涌电流能力提升了20%,而且功率循环能力提高了16倍,提升了功率模块的运行韧性与应用可靠性。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 铜金属化 铜引线键合 超声焊接
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压接型IGBT均流设计 被引量:9
6
作者 刘国友 窦泽春 +2 位作者 罗海辉 覃荣震 王彦刚 《中国电力》 CSCD 北大核心 2019年第9期20-29,共10页
针对压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)内部均流设计,对多芯片压接结构及其压力均衡、压接型IGBT芯片内部均流、子单元间均流等方面进行了研究和优化设计。试验验证了压接型IGBT具有良好的电流关断能力、短路电流能力及反偏安全工作区,器件... 针对压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)内部均流设计,对多芯片压接结构及其压力均衡、压接型IGBT芯片内部均流、子单元间均流等方面进行了研究和优化设计。试验验证了压接型IGBT具有良好的电流关断能力、短路电流能力及反偏安全工作区,器件内部均流状态较好。 展开更多
关键词 均流 压接型 IGBT 设计
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IGBT模块的热设计概述 被引量:5
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作者 刘国友 王彦刚 +3 位作者 罗海辉 齐放 李想 吴义伯 《中国电力》 CSCD 北大核心 2020年第12期55-61,74,共8页
对IGBT模块的热特性和热设计进行概述,介绍IGBT模块的热阻抗网络模型及其与封装材料热性能及尺寸的关系;从芯片和模块封装材料、结构等方面讨论模块的热设计要点,并阐述传统IGBT模块及新型压接式IGBT模块的热设计。
关键词 IGBT模块 热设计 可靠性
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大功率半导体模块封装进展与展望 被引量:5
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作者 王彦刚 罗海辉 肖强 《机车电传动》 北大核心 2023年第5期78-91,共14页
大功率半导体模块的发展进化是电力电子系统升级和产业发展的最关键因素。文章根据功率模块的主要应用领域分类,综述了其产品和封装技术的最新进展,分析了新型模块产品的结构和技术特点;然后提出了当前模块封装面临的技术、成本以及新... 大功率半导体模块的发展进化是电力电子系统升级和产业发展的最关键因素。文章根据功率模块的主要应用领域分类,综述了其产品和封装技术的最新进展,分析了新型模块产品的结构和技术特点;然后提出了当前模块封装面临的技术、成本以及新型应用系统要求等方面的挑战,讨论了向高频、高温、高可靠性、模块化等方向发展的挑战;最后对大功率半导体模块的互连及连接技术、集成化和灌封材料、紧凑封装结构的中长期趋势进行了探讨和展望。 展开更多
关键词 大功率半导体模块 绝缘栅双极晶体管 宽禁带器件 新型封装 先进技术
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汽车IGBT模块功率循环寿命研究 被引量:1
9
作者 周望君 陆金辉 +4 位作者 罗海辉 汤翔 方超 柯灏韬 彭勇殿 《机车电传动》 北大核心 2021年第5期183-188,共6页
针对汽车IGBT模块的主要失效原理和引线键合寿命短板,结合仿真分析进行了功率循环试验设计,结温差ΔT_(j)和流经键合线的电流I_(C)是影响键合点寿命的主要加速因子,中间温度(T_(jm))是影响键合点寿命的重要因子。传统功率循环寿命试验... 针对汽车IGBT模块的主要失效原理和引线键合寿命短板,结合仿真分析进行了功率循环试验设计,结温差ΔT_(j)和流经键合线的电流I_(C)是影响键合点寿命的主要加速因子,中间温度(T_(jm))是影响键合点寿命的重要因子。传统功率循环寿命试验需采用大量的试验样本,文章采用单根键合引线作为试验独立样本,极大程度地减少了试验所需的样本数,同时通过压降参数V_(CE(sat))的微小变化相对准确地获取到IGBT模块内部键合线的脱落趋势,结合寿命模型和威布尔统计方法,对键合点寿命进行统计分析,最终获得功率循环寿命曲线。利用新的功率循环寿命统计方法可将试验成本和试验周期减少80%。 展开更多
关键词 汽车IGBT 退化原理 引线键合 单键合引线样本 功率循环寿命 仿真
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SiC MOSFET模块串扰问题及应用对策研究 被引量:1
10
作者 刘敏安 罗海辉 +2 位作者 卢圣文 王旭 李诚 《机车电传动》 北大核心 2023年第2期36-42,共7页
针对SiC MOSFET模块应用过程中出现的串扰问题,文章首先对3种测量差分探头的参数和测量波形进行对比,有效减小测量误差;然后详细分析串扰引起模块栅源极出现电压正向抬升和负向峰值过大的原因,并提出3种有效应用对策:减小栅极阻抗、采... 针对SiC MOSFET模块应用过程中出现的串扰问题,文章首先对3种测量差分探头的参数和测量波形进行对比,有效减小测量误差;然后详细分析串扰引起模块栅源极出现电压正向抬升和负向峰值过大的原因,并提出3种有效应用对策:减小栅极阻抗、采用有源米勒箝位和三级关断串扰抑制电路。其中,减小栅极阻抗可减小感应压降,抑制栅源极过压;有源米勒箝位技术使栅源极电压串扰波形幅值限制在箝位电压范围;利用三级关断串扰抑制电路技术,显著抑制了栅源极电压的正向抬升和负向峰值,最后通过试验仿真验证了3种方法的有效性。 展开更多
关键词 串扰问题 栅源极电压 栅极阻抗 有源米勒箝位 三级关断电平驱动技术
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银烧结技术在压接型IGBT器件中的应用 被引量:1
11
作者 石廷昌 李寒 +3 位作者 常桂钦 罗海辉 董国忠 刘国友 《机车电传动》 北大核心 2021年第5期128-133,共6页
银烧结技术具有低温连接、低热阻、低应力和高熔点等特点,已成为保证绝缘栅双极型晶体管(IGBT)界面连接的可靠性应用技术。文章分析了银烧结技术工艺和引入银烧结技术的压接型IGBT器件结构组成;利用有限元方法对比分析了银烧结子单元和... 银烧结技术具有低温连接、低热阻、低应力和高熔点等特点,已成为保证绝缘栅双极型晶体管(IGBT)界面连接的可靠性应用技术。文章分析了银烧结技术工艺和引入银烧结技术的压接型IGBT器件结构组成;利用有限元方法对比分析了银烧结子单元和焊接子单元封装的2种压接型IGBT器件热阻差异;通过压降参数、压力均匀性、热阻特性和长周期功率循环界面可靠性这4个维度对比了银烧结IGBT器件和常规焊接IGBT器件的特性差异。实际应用证明,引入银烧结技术的压接型IGBT器件,其可靠性得到了大幅度提升。 展开更多
关键词 银烧结技术 压接型IGBT 可靠性 有限元方法
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3300V SiC SBD嵌入式MOSFET研制
12
作者 刘国友 罗海辉 +1 位作者 李诚瞻 宋瓘 《中国电力》 CSCD 北大核心 2021年第12期81-85,93,共6页
研制了一种3300 V碳化硅(silicon carbide,SiC)肖特基二极管(schottky barrier diodes,SBD)嵌入式金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistors,MOSFET),即在传统MOSFET结构中集成一个由钛形成... 研制了一种3300 V碳化硅(silicon carbide,SiC)肖特基二极管(schottky barrier diodes,SBD)嵌入式金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistors,MOSFET),即在传统MOSFET结构中集成一个由钛形成的肖特基接触。在芯片制造过程中,通过增加Ni退火后的表面处理工艺,使得栅源短路失效率降低约58%。研究发现,当二极管电流密度J_(SD)=100 A/cm^(2)时,嵌入式二极管电压降V_(SD)(SBD)=2.1 V,寄生二极管的开启电压约为8 V,这说明嵌入式SBD可以抑制MOSFET寄生二极管开启,降低碳化硅MOSFET"双极退化"风险。另外,该芯片的阈值电压为3.05 V,比导通电阻和阻断电压分别为18.9 mΩ·cm^(2)和3955 V,在高压轨交市场具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 碳化硅 SBD MOSFET 寄生二极管 双极退化
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SiC JBS二极管衬底减薄与激光退火工艺
13
作者 刘启军 李诚瞻 +4 位作者 罗海辉 卢吴越 龚芷玉 郑昌伟 李乐乐 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第12期956-961,共6页
衬底减薄可以大幅提升SiC结势垒肖特基(JBS)二极管的电流密度,但减薄工艺和减薄引入的激光退火工艺仍面临巨大挑战。使用不同型号的金刚砂轮模拟了SiC衬底减薄精磨过程,研究了精磨后SiC衬底的界面质量;同时,使用波长为355 nm的紫外激光... 衬底减薄可以大幅提升SiC结势垒肖特基(JBS)二极管的电流密度,但减薄工艺和减薄引入的激光退火工艺仍面临巨大挑战。使用不同型号的金刚砂轮模拟了SiC衬底减薄精磨过程,研究了精磨后SiC衬底的界面质量;同时,使用波长为355 nm的紫外激光器退火Ni/4H-SiC结构,分析了激光能量密度对欧姆接触的性能影响;最后,结合减薄工艺和激光退火工艺制备了厚度为100μm的1 200 V/15 A SiC JBS二极管。结果表明,使用超精细砂轮精磨SiC衬底后,其表面粗糙度为1.26 nm,纵向损伤层厚度约为60 nm;当激光能量密度为1.8 J/cm^(2)时,能形成良好的欧姆接触,比接触电阻率为7.42×10^(-5)Ω·cm^(2);厚度减薄至100μm的1 200 V/15 A SiC JBS二极管在不损失阻断性能的情况下,其正向导通压降比未减薄的减小了0.15 V,电流密度提升了41.27%。 展开更多
关键词 4H-SIC 衬底减薄 激光退火 欧姆接触 电流密度
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碳化硅沟槽栅MOSFET技术研究进展
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作者 罗海辉 李诚瞻 +1 位作者 姚尧 杨松霖 《机车电传动》 北大核心 2023年第5期10-25,共16页
第三代宽禁带半导体碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)具备耐高压、耐高温和低损耗等优点,迅速成为行业的研究热点。文章结合SiC功率MOSFET器件发展历史,探讨了从平面栅技术发展到沟槽栅技术的必要性,介绍了SiC沟槽栅MOS... 第三代宽禁带半导体碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)具备耐高压、耐高温和低损耗等优点,迅速成为行业的研究热点。文章结合SiC功率MOSFET器件发展历史,探讨了从平面栅技术发展到沟槽栅技术的必要性,介绍了SiC沟槽栅MOSFET结构设计、沟槽刻蚀工艺和沟槽栅氧工艺等核心问题的研究进展与技术挑战,并对未来新型SiC沟槽栅MOSFET技术进行了展望。 展开更多
关键词 碳化硅 沟槽栅MOSFET 沟槽工艺 沟槽栅氧 沟槽结构 新型沟槽
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WC-10%Co细晶硬质合金晶粒夹粗的模拟研究 被引量:4
15
作者 孔德方 金鹏 +5 位作者 管玉明 龙坚战 罗海辉 刘斌 赵玉玲 张卫兵 《硬质合金》 CAS 2021年第2期88-95,共8页
在细晶硬质合金原料粉末中添加少量4μm和11μm的WC粉末模拟合金中的晶粒一般夹粗和异常长大,研究粗晶WC含量及尺寸对WC-10%Co细晶硬质合金组织与性能的影响。结果表明:添加2%~8%的4μmWC粉末的合金,合金中的粗晶WC零星分布,粗晶尺寸约4... 在细晶硬质合金原料粉末中添加少量4μm和11μm的WC粉末模拟合金中的晶粒一般夹粗和异常长大,研究粗晶WC含量及尺寸对WC-10%Co细晶硬质合金组织与性能的影响。结果表明:添加2%~8%的4μmWC粉末的合金,合金中的粗晶WC零星分布,粗晶尺寸约4~10μm,粗晶面积分数约0.29%~1.42%;添加2%~8%的11μmWC粉末的合金,合金中的夹粗现象非常明显,粗晶WC大于10μm,粗晶面积分数约0.99%~5.03%,呈现较明显的双峰组织。粗晶WC的粒度和含量影响WC-10%Co细晶硬质合金的性能,当参比原料粉末中添加相同规格的WC粉末时,随着添加量的增加,磁力、硬度、横向断裂强度、抗压强度逐渐下降,断裂韧性逐渐增加。添加2%的4μmWC粉末的WC-10%Co细晶合金,粗晶WC尺寸小于10μm且均匀分布,每平方毫米粗晶个数约为438,粗晶面积分数为0.29%,综合性能可达到未含夹粗WC合金的性能。 展开更多
关键词 硬质合金 抗压强度 横向断裂强度(TRS) 断裂韧性 性能
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球磨时间对粗晶钨钴合金WC晶粒尺寸分布与WC邻接度的影响 被引量:4
16
作者 罗海辉 彭宇 《硬质合金》 CAS 2021年第1期30-35,共6页
本文选取钴含量分别为3%、8%、18%、26%的粗晶硬质合金混合料进行球磨,在球磨时间为15、16、17 h时取出混合料制成四组每组3批硬质合金样品,研究球磨时间对粗晶硬质合金WC晶粒尺寸分布及WC邻接度的影响,结果表明,同组粗晶硬质合金的WC... 本文选取钴含量分别为3%、8%、18%、26%的粗晶硬质合金混合料进行球磨,在球磨时间为15、16、17 h时取出混合料制成四组每组3批硬质合金样品,研究球磨时间对粗晶硬质合金WC晶粒尺寸分布及WC邻接度的影响,结果表明,同组粗晶硬质合金的WC晶粒尺寸分布曲线随着球磨时间的增加逐渐向左偏移,分布曲线的右支变得更陡,WC邻接度先变小再增大;在同组样品中WC晶粒尺寸分布曲线右支个数百分比随晶粒尺寸变化最缓的合金具有最小的WC邻接度。用最密填充理论解释了WC邻接度低的合金WC晶粒尺寸分布的特征。 展开更多
关键词 钨钴合金 分布 WC邻接度 最密填充
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Prediction of fracture characteristic of particle-reinforced alumina-based composites 被引量:1
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作者 luo haihui ZHANG FuCheng WANG TianSheng 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2009年第4期864-870,共7页
Residual microstresses in particle reinforced alumina/SiC and alumina/mullite composites were calcu- lated. The results indicated that there existed a linear relation between matrix microstresses and the particle cont... Residual microstresses in particle reinforced alumina/SiC and alumina/mullite composites were calcu- lated. The results indicated that there existed a linear relation between matrix microstresses and the particle contents in the composites. The influence of stress state on crack propagating and grain boundary strengthening was analyzed. Ratios of grain boundary toughness to grain toughness of these composites were calculated in view of microstress analysis, and percentage of transgranular fracture (PTF) that increases with the microstress in the alumina matrix was then deduced. The relationship between microstructure, component, matrix microstresses, and PTF was established. Therefore, the fracture characteristic was predicted on basis of the particle content and distribution in addition to the microstructure of the composites. 展开更多
关键词 CERAMIC composite ALUMINA microstress FRACTURE mode
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巴西人参提取液对家蚕生长发育的影响
18
作者 卢庆宇 莫丹梅 +6 位作者 何春慧 蓝黄丽 李国力 罗海慧 莫海姗 屈达才 徐开遵 《基因组学与应用生物学》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期2988-2994,共7页
家蚕已被作为一种模式生物广泛应用于各种药物效应的研究中。巴西人参作为一种药用植物于2001年引进国内种植,关于其对家蚕的生长发育影响尚未见报道。本研究以不同浓度巴西人参提取液添食五龄家蚕,结果表明,低浓度的巴西人参提取液对... 家蚕已被作为一种模式生物广泛应用于各种药物效应的研究中。巴西人参作为一种药用植物于2001年引进国内种植,关于其对家蚕的生长发育影响尚未见报道。本研究以不同浓度巴西人参提取液添食五龄家蚕,结果表明,低浓度的巴西人参提取液对家蚕体重具有一定促进作用,但效果不明显,而高浓度的巴西人参提取液对家蚕体重具有显著抑制作用;各浓度添食组对家蚕消化率的影响不明显,但巴西人参添食组家蚕对桑叶的食下量减少,且浓度越高,食下量减少越明显;添食巴西人参提取液对家蚕营茧功能具有明显的抑制作用;添食10^(4)×和10^(2)×巴西人参提取液对雌蚕和雄蚕茧质的影响差异不明显,而添食10^(3)×巴西人参提取液对雌雄家蚕茧质影响较大,该浓度的巴西人参提取液可降低雄蚕茧层率,而对雌蚕的茧层率则具有一定的提高作用;此外,巴西人参提取液浓度与五龄家蚕幼虫死亡率、龄期及丝腺发育均呈现正相关关系,添食浓度越高,幼虫死亡率越高,龄期延长及丝腺萎缩效应越显著。本研究阐明了巴西人参对动物生长发育的潜在影响,有利于对其食用安全性进行初步评价,为其在国内进一步的开发利用提供参考,同时本项目以家蚕为模型研究巴西人参对生长发育影响的方式可为研究其他可食用材料的生物效应提供借鉴。 展开更多
关键词 家蚕 巴西人参 模式生物 生长发育
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