基于Ka波段分布式MEMS移相器芯片微封装研究(英文)

本文提出一种适用于Ka波段分布式MEMS移相器的新型封装结构——具有垂直互连线的薄硅作为分布式MEMS移相器衬底,并用芯片微封装方法对移相器进行封装。采用CST模拟软件研究封装结构对移相器射频性能影响,模拟结构表明:当封装结构衬底厚度、垂直互连线半径和空腔高度分别为450μm、50μm和80μm时,Ka波段分布式MEMS移相器的插入损耗小于0．55 dB,回波损耗优于12 dB,相移量具有很好的线性关系,说明该新型封装结构非常适合RF MEMS器件低成本批量封装。