半导体C-V测量基础

通用测试 电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括蚁傲结型晶体管（BJT）、JFET、Ⅲ-Ⅴ族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管（CNT）和多种其他半导体器件。

从实验室到代工厂的功率器件特性分析

近来，随着市场的驱动朝向更加节能的应用方向，对于诸如二极管、场效应晶体管、IGBT以及其他器件等更好的大功率半导体器件产生了持续增加的需求。新技术为带来更好的性能履行承诺，包括更低的开态功耗、更低的关态漏电、更快的开关速度以及在开关过程中减小功耗。

半导体C-V测量基础

通用测试 电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外,利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括双极结型晶体管（BJT）、JFET、Ⅲ-V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管（CNT）和多种其他半导体器件。