硅负极材料因具有较高的理论容量(Li22Si5合金相对应4200 mAh/g)、较低的工作电压(0.2~0.3 V vs Li/Li+)和地球上丰富的原材料储备,成为代替石墨负极的理想材料之一。但是,低电导率及在循环过程中发生剧烈体积膨胀导致电极失效问题限制...硅负极材料因具有较高的理论容量(Li22Si5合金相对应4200 mAh/g)、较低的工作电压(0.2~0.3 V vs Li/Li+)和地球上丰富的原材料储备,成为代替石墨负极的理想材料之一。但是,低电导率及在循环过程中发生剧烈体积膨胀导致电极失效问题限制了硅负极材料的进一步发展。因此,本工作通过物理法利用壳聚糖和石墨对纳米硅实现碳包覆和复合,制备壳聚糖/石墨@纳米硅复合材料(C/G@Si复合材料),对C/G@Si复合材料的结构、形貌和电化学性能进行研究。结果表明:随着石墨添加量的提高,C/G@Si复合材料的可逆比容量略微下降,循环性能和导电性能显著提高。当添加50%(质量分数)石墨时,在100 mA/g的电流密度下,C/G@Si复合材料的首次放电比容量为1136.1 mAh/g,循环充放电100次后剩余容量保持在658.5 mAh/g,展示出优异的电化学性能,对进一步推广硅碳负极材料具有一定的参考价值。展开更多
文摘硅负极材料因具有较高的理论容量(Li22Si5合金相对应4200 mAh/g)、较低的工作电压(0.2~0.3 V vs Li/Li+)和地球上丰富的原材料储备,成为代替石墨负极的理想材料之一。但是,低电导率及在循环过程中发生剧烈体积膨胀导致电极失效问题限制了硅负极材料的进一步发展。因此,本工作通过物理法利用壳聚糖和石墨对纳米硅实现碳包覆和复合,制备壳聚糖/石墨@纳米硅复合材料(C/G@Si复合材料),对C/G@Si复合材料的结构、形貌和电化学性能进行研究。结果表明:随着石墨添加量的提高,C/G@Si复合材料的可逆比容量略微下降,循环性能和导电性能显著提高。当添加50%(质量分数)石墨时,在100 mA/g的电流密度下,C/G@Si复合材料的首次放电比容量为1136.1 mAh/g,循环充放电100次后剩余容量保持在658.5 mAh/g,展示出优异的电化学性能,对进一步推广硅碳负极材料具有一定的参考价值。
文摘目的:分析lncRNA-H19(H19)在高血压脑出血(HICH)患者体内的表达特征,并探讨H19影响人脑微血管内皮细胞(HBMECs)自噬与氧糖剥夺(OGD)损伤的机制。方法:收集健康者、高血压患者和HICH患者血液样本,采用lncRNA array芯片检测lncRNA表达谱,RT-qPCR检测H19表达水平并分析其与脑出血量及NIHSS评分的关系;预测H19的靶蛋白,RT-qPCR检测其mRNA水平并分析其与H19的相关关系;采用OGD处理敲降或过表达H19及其互作蛋白的HBMECs,而后采用免疫荧光检测细胞自噬情况,western blotting检测自噬相关蛋白(LC3-Ⅰ和LC3-Ⅱ)以及缺氧诱导因子-1α(HIF-1α)和血管内皮生长因子(VEGF)。结果:H19在高血压患者(t=0.021,P<0.05)和HICH患者(t=0.018,P<0.05)中显著高于健康者;并随HICH分级升高而增加,与脑出血量及NIHSS评分呈正相关关系(R2=0.087,R2=0.113,P<0.05);随OGD处理时间增加,HBMECs中H19水平增加(t=0.023,P<0.05);IGF1R m RNA在HICH患者体内低于健康者(t=0.015,P<0.05),且随HICH加剧而降低(t=0.043,P<0.05);HICH患者体内H19与IGF1R呈负相关关系(R2=0.187,P<0.05);OGD处理下调HBMECs中IGF1R蛋白,敲降H19可使OGD-HBMECs中IGF1R增加;在OGD-HBMECs中LC3自噬体、LC3-Ⅱ/LC3-Ⅰ、HIF-1α和VEGF均因敲降H19或过表达IGF1R而减少,但同时过表达IGF1R及H19后则均增加。结论:H19与HICH病情相关,下调H19可增加IGF1R,进而缓解OGD诱导的HBMECs自噬和损伤。
