用大面积立式旋转盘MOVPE反应器生长Ⅲ族氮化物材料(英文)

为了降低Ⅲ族氮化物材料和器件的成本 ,必须开发大尺寸的Ⅲ族氮化物MOVPE生长的反应器。本文报道了EMCORE公司的一种带有旋转盘的立式反应器 ,其中的衬底片载盘直径为 32 5mm。每次沉积过程中 ,载盘上可以放置 2 1片 2英寸直径的衬底片。反应器的内壁通过水冷 ,其温度可保持在 5 0～ 6 0℃之间。衬底片可用电热丝加热 ,沉积中衬底载盘的旋转速度可达 1 0 0 0～ 1 5 0 0rpm。本文给出了用这种 32 5mmGaN生长系统生长的未掺杂GaN ,InGaN和 p GaN外延层的相关结果。这些结果表明 ,这种旋转盘的反应器是一种很适合大尺寸载盘的系统 ,完全满足Ⅲ族氮化物材料体系生长的要求。与在小反应器中生长的材料相比 ,用这种大反应器生长的材料具有相同的质量。这种 32 5mm的GaN反应器将使制备蓝光和绿光LED所用的Ⅲ族氮化外延材料的生产成本得到显著的降低。

用大面积立式旋转盘MOVPE反应器生长Ⅲ族氮化物材料(英文)

为了降低Ⅲ族氮化物材料和器件的成本 ,必须开发大尺寸的Ⅲ族氮化物MOVPE生长的反应器。本文报道了EMCORE公司的一种带有旋转盘的立式反应器 ,其中的衬底片载盘直径为 32 5mm。每次沉积过程中 ,载盘上可以放置 2 1片 2英寸直径的衬底片。反应器的内壁通过水冷 ,其温度可保持在 5 0～ 6 0℃之间。衬底片可用电热丝加热 ,沉积中衬底载盘的旋转速度可达 1 0 0 0～ 1 5 0 0rpm。本文给出了用这种 32 5mmGaN生长系统生长的未掺杂GaN ,InGaN和 p GaN外延层的相关结果。这些结果表明 ,这种旋转盘的反应器是一种很适合大尺寸载盘的系统 ,完全满足Ⅲ族氮化物材料体系生长的要求。与在小反应器中生长的材料相比 ,用这种大反应器生长的材料具有相同的质量。这种 32 5mm的GaN反应器将使制备蓝光和绿光LED所用的Ⅲ族氮化外延材料的生产成本得到显著的降低。