基于增强型沟槽栅技术的高性能3300V IGBT

采用沟槽栅结构、软穿通(SPT)技术和载流子存储层技术研制出一款增强型沟槽栅型(TMOS+)3 300 V IGBT芯片,其具有更低通态压降、更高功率密度和更优的关断安全工作区性能。高温(Tj=150℃)工况下,芯片的通态压降比相同电压等级增强型平面栅型(DMOS+)IGBT的约低25%,并能安全关断11倍额定电流;同等外形尺寸条件下,TMOS+型IGBT模块的电流等级(1 800 A)比DMOS+型的提升了20%,可满足更高功率容量的应用需求。

沟槽栅IGBT结构参数设计与动、静态性能优化（英文）

近年来,随着沟槽栅软穿通技术的发展,IGBT的性能不断提升。沟槽栅IGBT的动、静态性能与栅结构、载流子存储层、软穿通缓冲层等密切相关。在实际应用中,需根据不同的应用需求如低导通压降、低关断损耗或宽安全工作区性能等,对IGBT的综合性能进行优化设计。本文研究了沟槽栅IGBT的结构设计参数对器件性能的影响,并在此基础上探索了基于低电感应用条件的电动汽车IGBT的参数设计。