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质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的影响 被引量：3
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作者 李娜 陆卫 +9 位作者 李宁 刘兴权 袁先漳 窦红飞 沈学础 FU Lan Tan H H C Jagadish m b johnston m Gal 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期25-28,共4页
利用质子注入和快速退火技术改变GaAs/AlGaAs量子阱能级分布,使量子阱红外探测器的光电特性发生变化,在较大地移动了探测波长的同时,探测器的响应率、探测率以及暗电流特性也发生相应变化.在质子注入剂量为2.5×1015cm-2、快速退火... 利用质子注入和快速退火技术改变GaAs/AlGaAs量子阱能级分布,使量子阱红外探测器的光电特性发生变化,在较大地移动了探测波长的同时,探测器的响应率、探测率以及暗电流特性也发生相应变化.在质子注入剂量为2.5×1015cm-2、快速退火条件为950℃、30s时,峰值探测波长移动2μm. 展开更多
关键词 质子注入 快速退火 量子阱红外探测器
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