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碳化硅(SiC)肖特基二极管
1
作者
H.卡普斯
m.科拉奇
+3 位作者
C.米斯尼尔
R.卢普
L.兹弗里夫
J.
m.
汉克柯
《电力电子》
2003年第Z1期55-57,77,共4页
崭新的碳化硅(SiC)肖特基二极管优于它的竞争者,具有600V的阻断电压;而且没有反向恢复电荷和反向恢复电流。
关键词
碳化硅
肖特基二极管
反向恢复电荷
反向恢复电流
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职称材料
题名
碳化硅(SiC)肖特基二极管
1
作者
H.卡普斯
m.科拉奇
C.米斯尼尔
R.卢普
L.兹弗里夫
J.
m.
汉克柯
出处
《电力电子》
2003年第Z1期55-57,77,共4页
文摘
崭新的碳化硅(SiC)肖特基二极管优于它的竞争者,具有600V的阻断电压;而且没有反向恢复电荷和反向恢复电流。
关键词
碳化硅
肖特基二极管
反向恢复电荷
反向恢复电流
Keywords
SiC
Schottky diodes
reverse recovery charge
reverse recovery current
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
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作者
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1
碳化硅(SiC)肖特基二极管
H.卡普斯
m.科拉奇
C.米斯尼尔
R.卢普
L.兹弗里夫
J.
m.
汉克柯
《电力电子》
2003
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