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晶圆边缘缺陷的控制策略
1
作者
m.f.hsu
J.H.Yang
+4 位作者
E.Yang
H.Chen
M.Ng
M.Li
C.Perry-Sullivan
《集成电路应用》
2009年第9期25-25,28,共2页
在晶圆边缘芯片上的系统性工艺缺陷进入到晶圆内部芯片之前,如果发现并解决这些缺陷问题,可以防止产品成品率损失并加快成品率的提升速度。
关键词
边缘缺陷
控制策略
晶圆
工艺缺陷
提升速度
成品率
芯片
下载PDF
职称材料
题名
晶圆边缘缺陷的控制策略
1
作者
m.f.hsu
J.H.Yang
E.Yang
H.Chen
M.Ng
M.Li
C.Perry-Sullivan
机构
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.Ltd.(TSMC)
KLA-Tencor Corp.
出处
《集成电路应用》
2009年第9期25-25,28,共2页
文摘
在晶圆边缘芯片上的系统性工艺缺陷进入到晶圆内部芯片之前,如果发现并解决这些缺陷问题,可以防止产品成品率损失并加快成品率的提升速度。
关键词
边缘缺陷
控制策略
晶圆
工艺缺陷
提升速度
成品率
芯片
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TG335.56 [金属学及工艺—金属压力加工]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
晶圆边缘缺陷的控制策略
m.f.hsu
J.H.Yang
E.Yang
H.Chen
M.Ng
M.Li
C.Perry-Sullivan
《集成电路应用》
2009
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