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MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较 被引量：5
1
作者 李娜 李宁 +9 位作者 陆卫 窦红飞 陈张海 刘兴权 沈学础 H.H.Tan LanFu C.Jagadish M.B.Johnston m.gal 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期441-444,共4页
用金属有机物化学气相沉积法 ( MOCVD)生长 Ga As/Al Ga As量子阱材料 ,并制成红外探测器 .测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性 ,峰值波长7.9μm,响应率达到 6× 1 0 3V/W,与分子束外延法 ( MBE)生长... 用金属有机物化学气相沉积法 ( MOCVD)生长 Ga As/Al Ga As量子阱材料 ,并制成红外探测器 .测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性 ,峰值波长7.9μm,响应率达到 6× 1 0 3V/W,与分子束外延法 ( MBE)生长的材料和相关器件进行了比较 ,MOCVD法可满足量子阱材料和器件的要求 . 展开更多
关键词 ALGAAS 量子阱 红外探测器 MOCVD 砷化镓
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