淀积合金薄膜的 Si 片退火时,通过固相反应在界面处生成接触过渡层,其组分与结构均不同于一般条件下生成的硅化物.本文介绍了 Pd 合金/Si接触过渡层的形成工艺,对接触过渡层的结构组分进行了分析与讨论.基于“相分层”效应,可用掺氮或...淀积合金薄膜的 Si 片退火时,通过固相反应在界面处生成接触过渡层,其组分与结构均不同于一般条件下生成的硅化物.本文介绍了 Pd 合金/Si接触过渡层的形成工艺,对接触过渡层的结构组分进行了分析与讨论.基于“相分层”效应,可用掺氮或掺氧的方法提高阻挡层的质量.展开更多
