补偿硅的温度敏感特性

采用低电阻率的p型单晶硅,在高温条件下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿和过补偿硅.在常温下,测试扩散后电阻率分别为3.2×103、4.8×104、1.3×105、3.2×105Ω·cm的几种样品的温度敏感特性,其相应的B值分别为5 103,5 600,6 103,6 502 K.这种扩锰硅是一种温度敏感材料,笔者将报道这些实验结果并讨论其热敏特性.

高补偿硅的阻-温特性

采用5·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅。笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84×104·cm的样品,进行测量电阻随温度的变化关系(温度从77 K上升到300 K)。测试结果表明:在没有光照条件下测试时,电阻随温度的变化同普通的半导体;但在受到光照时,却出现极不相同的情况,这种不同,可能来自所掺杂的硅是一种光敏材料及掺入的杂质是一种深能级杂质。

高补偿硅的光敏感特性

对电阻率为5 ·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅。并在室温(25℃)和液氮温度(196℃)下,测试了这种高补偿硅材料对光强的敏感性。测试结果表明:这种材料是一种光敏感材料,其敏感性受外加的电压、样品的温度及补偿后样品的电阻率影响。