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Bi_(12)SiO_(20)晶体光纤电压传感器 被引量:2
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作者 m.norimatsu M.Shirasaki 张传忠 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1989年第1期46-49,共4页
本文介绍了采用横向Bi_(12)SiO_(20)(BSO)调制的光纤电压传感器。该传感器的灵敏度取决于BSO晶体的形状和起偏器及检偏器的偏振态。设计的晶体形状应能减小光纤的插入损耗。通过一种计算灵敏度的估算法使最佳化的起偏器和检偏器达到了... 本文介绍了采用横向Bi_(12)SiO_(20)(BSO)调制的光纤电压传感器。该传感器的灵敏度取决于BSO晶体的形状和起偏器及检偏器的偏振态。设计的晶体形状应能减小光纤的插入损耗。通过一种计算灵敏度的估算法使最佳化的起偏器和检偏器达到了最大的灵敏度。我们发现最好的方法是调整起偏器作圆偏振并将检偏器对准电极法线与旋光率所成夹角的平分线,使检偏器作线性偏振。为了使插损最小,我们采用了由TiO_2单晶(金红石)片和1/4波长片组成的起偏器,以及由金红石片和1/2波长片组成的检偏器。采用这些元件,在0.85μm波长时,我们获得了0.28%/V的灵敏度。 展开更多
关键词 Bi12SiO20 光纤传感器 传感器
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