具备更强机械性能的高功率IGBT模块——采用最新3.3kV IGBT3芯片技术

本文介绍了新一代IHM.B具备更强机械性能的高功率IGBT模块,其融合了最新的设计、材料、焊接和安装技术。首批IHM.B模块将搭载最新的、采用沟槽栅单元设计的3.3kV IGBT3芯片,在保持机械兼容性的同时,极大地提高了器件的热效率和电气效率。本文还对宇宙射线以及功率循环试验进行了研究。

采用高级3.3kV IGBT3芯片技术并具有高机械性能的高功率IGBT模块

新型功率电子器件通常要求更高的功率密度、可靠性和更简单的封装形式;具有比现有产品更高的芯片热效率和电气效率,以及更高的健壮性和模块可靠性,同时兼容现有的设计,已成为最新模块开发的目标。