First Principles Study of Half Metallic Properties of VSb Surface and VSb/GaSb (001) Interface

结构，电子，并且有 GaSb (001 ) 的在 zincblende 的 VSb 的磁性，和 NiAs 阶段， VSb (001 ) 电影表面和它的接口在密度的框架以内被调查了用 FPLAPW+lo 途径的功能的理论。NiAs 结构比 ZB 阶段更稳定， ZB VSb 被发现到一一半金属性铁磁性。当 half-metallicity 由于表面状态为终止 Sb 的表面被破坏时，终止 V 的表面保留一半金属性的特性，它从 p 电子发源。阶段图通过 ab-initio 获得了 ZB VSb 的形成精力是大约 0.1 Ryd 的原子论的热力学表演。half-metallicity 字符也在 VSb/GaSb (001 ) 接口被保存。在少数旋转案例中的 VSb 的传导乐队最小(CBM ) 躺没有， GaSb，建议多数旋转能被注入 GaSb 的上面的大约 0.47 eV 正在被扭动到少数旋转的传导乐队。