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First Principles Study of Half Metallic Properties of VSb Surface and VSb/GaSb (001) Interface
被引量:
1
1
作者
A.Boochani
m.r.abolhasani
+1 位作者
M.Ghoranncviss
M.Elahi
《Communications in Theoretical Physics》
SCIE
CAS
CSCD
2010年第7期148-158,共11页
结构,电子,并且有 GaSb (001 ) 的在 zincblende 的 VSb 的磁性,和 NiAs 阶段, VSb (001 ) 电影表面和它的接口在密度的框架以内被调查了用 FPLAPW+lo 途径的功能的理论。NiAs 结构比 ZB 阶段更稳定, ZB VSb 被发现到一一半金属性...
结构,电子,并且有 GaSb (001 ) 的在 zincblende 的 VSb 的磁性,和 NiAs 阶段, VSb (001 ) 电影表面和它的接口在密度的框架以内被调查了用 FPLAPW+lo 途径的功能的理论。NiAs 结构比 ZB 阶段更稳定, ZB VSb 被发现到一一半金属性铁磁性。当 half-metallicity 由于表面状态为终止 Sb 的表面被破坏时,终止 V 的表面保留一半金属性的特性,它从 p 电子发源。阶段图通过 ab-initio 获得了 ZB VSb 的形成精力是大约 0.1 Ryd 的原子论的热力学表演。half-metallicity 字符也在 VSb/GaSb (001 ) 接口被保存。在少数旋转案例中的 VSb 的传导乐队最小(CBM ) 躺没有, GaSb,建议多数旋转能被注入 GaSb 的上面的大约 0.47 eV 正在被扭动到少数旋转的传导乐队。
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关键词
表面状态
GASB
接口功能
金属性质
VSB
第一原理
自旋注入
管理局
下载PDF
职称材料
题名
First Principles Study of Half Metallic Properties of VSb Surface and VSb/GaSb (001) Interface
被引量:
1
1
作者
A.Boochani
m.r.abolhasani
M.Ghoranncviss
M.Elahi
机构
Plasma Physics Research Center
Department of Physics
出处
《Communications in Theoretical Physics》
SCIE
CAS
CSCD
2010年第7期148-158,共11页
文摘
结构,电子,并且有 GaSb (001 ) 的在 zincblende 的 VSb 的磁性,和 NiAs 阶段, VSb (001 ) 电影表面和它的接口在密度的框架以内被调查了用 FPLAPW+lo 途径的功能的理论。NiAs 结构比 ZB 阶段更稳定, ZB VSb 被发现到一一半金属性铁磁性。当 half-metallicity 由于表面状态为终止 Sb 的表面被破坏时,终止 V 的表面保留一半金属性的特性,它从 p 电子发源。阶段图通过 ab-initio 获得了 ZB VSb 的形成精力是大约 0.1 Ryd 的原子论的热力学表演。half-metallicity 字符也在 VSb/GaSb (001 ) 接口被保存。在少数旋转案例中的 VSb 的传导乐队最小(CBM ) 躺没有, GaSb,建议多数旋转能被注入 GaSb 的上面的大约 0.47 eV 正在被扭动到少数旋转的传导乐队。
关键词
表面状态
GASB
接口功能
金属性质
VSB
第一原理
自旋注入
管理局
Keywords
spintronic, surface, interlace, density lunctional theory
分类号
O469 [理学—凝聚态物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
First Principles Study of Half Metallic Properties of VSb Surface and VSb/GaSb (001) Interface
A.Boochani
m.r.abolhasani
M.Ghoranncviss
M.Elahi
《Communications in Theoretical Physics》
SCIE
CAS
CSCD
2010
1
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职称材料
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参考文献
引证文献
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