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基于中医传承辅助平台设计用于治疗鸡滑膜炎的中药组方分析
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作者 王寒飞 徐姝仪 +3 位作者 毛海洋 刘振利 谢长清 王旭 《畜牧与兽医》 CAS 北大核心 2024年第1期123-128,共6页
本研究基于中医传承辅助平台(V2.5),分析并总结中医药治疗滑膜炎的组方用药规律,设计能用于治疗鸡滑膜炎的中药组方。检索中国期刊全文数据库,筛选出治疗滑膜炎的口服中药处方总计768篇文献,运用中医传承辅助平台软件挖掘及无监督熵层... 本研究基于中医传承辅助平台(V2.5),分析并总结中医药治疗滑膜炎的组方用药规律,设计能用于治疗鸡滑膜炎的中药组方。检索中国期刊全文数据库,筛选出治疗滑膜炎的口服中药处方总计768篇文献,运用中医传承辅助平台软件挖掘及无监督熵层次聚类分析,总结出处方高频用药的四气五味、常见配伍方式和其间的关联规则,拟定可用于治疗鸡滑膜炎的中药组方。纳入73首处方、116味中药,所用中药性味多为温寒平、苦甘辛,且多归为肝脾心肾四经,认为药物功效以活血化瘀和祛除湿邪为主。据此,拟定了8首可用于治疗鸡滑膜炎的中药复方。滑膜炎口服用药治疗可注重活血化瘀与祛除湿邪,同时可辅以调经止痛。 展开更多
关键词 滑膜炎 中医传承辅助平台 中医药 用药规律
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热电堆式MEMS气体流量传感器设计及性能研究
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作者 刘泽民 张琛琛 +1 位作者 毛海央 周娜 《舰船电子工程》 2024年第4期131-135,共5页
提出一种由微加热器和热电堆构成的热式MEMS气体流量传感器用以实现高灵敏、快响应且低功耗的气体流量检测。采用N/P型重掺杂多晶硅材料构造双层堆叠的热电堆结构,可以实现低热导和高塞贝克系数,具有更高的温度敏感性。实验测试表明,该... 提出一种由微加热器和热电堆构成的热式MEMS气体流量传感器用以实现高灵敏、快响应且低功耗的气体流量检测。采用N/P型重掺杂多晶硅材料构造双层堆叠的热电堆结构,可以实现低热导和高塞贝克系数,具有更高的温度敏感性。实验测试表明,该传感器件在0~1000 sccm的气流范围内灵敏度可达0.309 mV/sccm(58.22 mV/ms-1),响应时间仅约139 ms,其工作电压为2.56 V时,微加热器的加热功耗仅有34.9 mW。该器件的整体尺寸仅有1300 mm×1300 mm,有利于检测系统的小型化和集成化,在动力氢燃料电池、医疗辅助呼吸设备等流速流量检测场景中具有一定应用价值。 展开更多
关键词 热电堆 MEMS 双层堆叠结构 热式气体流量传感器
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基于纳米森林的电容式湿度传感器 被引量:2
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作者 陈贵东 石梦 +2 位作者 毛海央 熊继军 陈大鹏 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第6期462-467,共6页
提出了一种基于纳米森林的电容式湿度传感器。该湿度传感器利用等离子体技术制备的纳米森林作为湿度敏感层,湿度敏感范围为30%RH^90%RH,且在大于60%RH的湿度范围内灵敏度达到1.87 pF/%RH,同时响应和恢复时间分别约为3.2 s和6 s。当传感... 提出了一种基于纳米森林的电容式湿度传感器。该湿度传感器利用等离子体技术制备的纳米森林作为湿度敏感层,湿度敏感范围为30%RH^90%RH,且在大于60%RH的湿度范围内灵敏度达到1.87 pF/%RH,同时响应和恢复时间分别约为3.2 s和6 s。当传感器置于湿度环境中时,吸收在纳米森林表面并凝结在表面孔隙中的水分子导致纳米森林介电常数发生变化,进而引起电容值的改变。通过与聚酰亚胺湿度传感器对比,证明基于纳米森林结构的湿度传感器具有更加优异的湿敏性能。此外,该传感器还可作为湿度触发的非接触式开关,有望应用于电梯按键等公共设备上,用于抑制细菌传播。 展开更多
关键词 湿度传感器 纳米森林 聚酰亚胺 等离子体 非接触式传感
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用于抗菌药物敏感实验的倍比稀释微流控芯片 被引量:1
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作者 刘洋 毛海央 +3 位作者 范文兵 杨潇楠 黄成军 王玮冰 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第4期279-284,302,共7页
基于微流控梯度网络理论和相关的数学模型,设计了一种新型的浓度倍比稀释微流控芯片结构,对其混合和稀释功能进行了仿真,并结合微加工工艺进行了芯片制备。初步实验结果表明,芯片两个入口处分别以3.267∶1的体积流量比注入去离子水与待... 基于微流控梯度网络理论和相关的数学模型,设计了一种新型的浓度倍比稀释微流控芯片结构,对其混合和稀释功能进行了仿真,并结合微加工工艺进行了芯片制备。初步实验结果表明,芯片两个入口处分别以3.267∶1的体积流量比注入去离子水与待稀释试剂样品时,在混合通道入口处两种流体能够进行等体积混合。当芯片两个入口的体积流量分别设置为1.225μL/min和0.375μL/min时,经过4 min后在芯片的四个出口可分别得到经过两倍稀释后的试剂样品,稀释精度达到98%。该浓度状态能长时间保持稳定,进而为抗菌药物敏感实验的研究提供了一条方便快捷、试剂用量少的新途径。 展开更多
关键词 微流控芯片 微加工工艺 倍比稀释 抗菌药物 浓度梯度
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基于烛灰纳米颗粒层的高灵敏度MEMS湿度传感器 被引量:1
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作者 陈贵东 毛海央 +2 位作者 熊继军 王玮冰 陈大鹏 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第1期36-40,48,共6页
提出了一种基于烛灰纳米颗粒层的高灵敏度、快速响应的微电子机械系统(MEMS)湿度传感器。该湿度传感器的制备工艺简单方便、成本低廉,仅包括烛灰纳米颗粒层的沉积、烛灰纳米颗粒层表面的氧等离子体亲水化处理和金属电极的制备三个步骤... 提出了一种基于烛灰纳米颗粒层的高灵敏度、快速响应的微电子机械系统(MEMS)湿度传感器。该湿度传感器的制备工艺简单方便、成本低廉,仅包括烛灰纳米颗粒层的沉积、烛灰纳米颗粒层表面的氧等离子体亲水化处理和金属电极的制备三个步骤。实验表明,在30%~90%相对湿度内,该MEMS湿度传感器的灵敏度高达4.17 MΩ/%RH,响应和恢复时间分别为2 s和8 s,同时具有较好的稳定性和重复性。此外,使用此传感器对呼吸频率进行检测,实验结果表明此湿度传感器可以精确地跟踪人的呼吸,因此所研究的湿度传感器在生物医学、环境监测等领域具有潜在应用。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 湿度传感器 纳米颗粒 呼吸监测 氧等离子体亲水化处理
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静电注入对55nm MV/HV GGNMOS ESD性能的影响 被引量:1
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作者 王新泽 毛海央 +1 位作者 金海波 龙克文 《微电子学》 CAS 北大核心 2021年第1期132-136,共5页
静电防护问题是提升集成电路可靠性面临的主要挑战之一。基于55 nm HV CMOS工艺,研究了静电注入对中压(MV)和高压(HV)GGNMOS(Gate-Grounded NMOS)器件静电防护性能的影响。研究结果表明,对MV GGNMOS器件来说,静电注入能够在有效降低开... 静电防护问题是提升集成电路可靠性面临的主要挑战之一。基于55 nm HV CMOS工艺,研究了静电注入对中压(MV)和高压(HV)GGNMOS(Gate-Grounded NMOS)器件静电防护性能的影响。研究结果表明,对MV GGNMOS器件来说,静电注入能够在有效降低开启电压(V_(t))、保持电压(V_(h))的同时,减小对二次击穿电流(I_(t2))的影响,且注入面积的改变对器件性能的影响极为有限;对HV GGNMOS器件来说,提高静电注入浓度能够有效提高静电防护能力。 展开更多
关键词 静电注入 静电防护 栅极接地NMOS 中压/高压
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有机聚合物MEMS湿度传感器研究进展 被引量:3
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作者 陈贵东 周娜 +1 位作者 毛海央 陈大鹏 《微纳电子与智能制造》 2021年第4期47-58,共12页
湿度传感器被广泛应用于气象、农业、医疗、食品安全、工业控制等领域中。基于有机聚合物敏感材料的MEMS湿度传感器因其在灵敏度、可集成性和湿度敏感范围等方面的优异性能,成为当前MEMS湿度传感器的研究重点。首先讨论了不同类型MEMS... 湿度传感器被广泛应用于气象、农业、医疗、食品安全、工业控制等领域中。基于有机聚合物敏感材料的MEMS湿度传感器因其在灵敏度、可集成性和湿度敏感范围等方面的优异性能,成为当前MEMS湿度传感器的研究重点。首先讨论了不同类型MEMS湿度传感器的工作原理和器件结构,然后对近年来基于有机聚合物材料的MEMS湿度传感器的研究进展进行了归纳和整理。同时,还系统讨论了有机聚合物与金属氧化物、贵金属纳米粒子、二维材料等复合后对MEMS湿度传感器性能的影响。最后,提出了目前阻碍有机聚合物MEMS湿度传感器进一步发展和实际应用的关键问题,并探讨了未来可能的发展方向。 展开更多
关键词 MEMS 湿度传感器 有机聚合物 纳米材料
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基于PMMA纳米纤维森林结构的高性能SERS基底
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作者 李锐锐 杨帅 +2 位作者 毛海央 陈大鹏 熊继军 《太原理工大学学报》 CAS 北大核心 2021年第4期585-591,共7页
为了满足实际应用对低成本、易制备表面增强拉曼散射(SERS)基底的需求,采用等离子体技术处理聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)材料层,在其表面形成纳米纤维森林结构,结合金属溅射工艺,制备SERS基底。在理论分析PMMA纳米纤维的形成机理的基础上,... 为了满足实际应用对低成本、易制备表面增强拉曼散射(SERS)基底的需求,采用等离子体技术处理聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)材料层,在其表面形成纳米纤维森林结构,结合金属溅射工艺,制备SERS基底。在理论分析PMMA纳米纤维的形成机理的基础上,以罗丹明6G(R6G)作为探针分子,进行基底的SERS性能测试。结果表明,该SERS基底的检测限达到10-10 mol/L,增强因子达到1.75×10^(6),相对标准偏差为6.52%,且在30 d内可以保持较好的稳定性,在生化检测领域具有很大的实际应用潜力。 展开更多
关键词 等离子体技术 聚甲基丙烯酸甲酯 表面增强拉曼散射 生化检测
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DPRM工艺中刻蚀工艺关键参数对N/P型MOS管交界处的影响
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作者 石梦 阎海涛 +3 位作者 毛海央 韩宝东 孙武 夏光美 《半导体光电》 CAS 北大核心 2019年第1期59-63,共5页
短沟道效应对器件性能的影响不可忽略,高k/金属栅极(High-k/Metal Gate,HKMG)器件可以很好地抑制短沟道效应。HKMG器件中金属栅极的制备工艺有前栅极制造工艺和后栅极制造工艺,其中虚拟栅去除(Dummy Poly Removal,DPRM)过程是后栅极制... 短沟道效应对器件性能的影响不可忽略,高k/金属栅极(High-k/Metal Gate,HKMG)器件可以很好地抑制短沟道效应。HKMG器件中金属栅极的制备工艺有前栅极制造工艺和后栅极制造工艺,其中虚拟栅去除(Dummy Poly Removal,DPRM)过程是后栅极制造中一道至关重要的制程。由于P型MOS管和N型MOS管的金属栅极填充材料不同,制造工艺中要先完成一种MOS管金属栅极的制作再进行另一种MOS管金属栅极的制作,DPRM后N型MOS管和P型MOS管交界处的结构形貌会直接影响金属栅极的填充,进而影响器件性能。在电子回旋共振刻蚀等离子体源条件下,探究DPRM工艺中过刻蚀过程的关键参数对NMOS管和PMOS管交界处结构形貌的影响,进而总结出减弱N/P型MOS管交界处侧向凹陷程度的工艺条件。 展开更多
关键词 过刻蚀 高k/金属栅 虚拟栅去除 电子回旋共振 侧向凹陷
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28nm WLP封装中PBO结构对CPI可靠性的影响
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作者 秦冲 毛海央 +1 位作者 陈险峰 李义 《微电子学》 CAS 北大核心 2021年第1期126-131,共6页
基于28 nm晶圆级封装(WLP)工艺,研究了聚苯撑苯并噁唑(PBO)对芯片-封装交互(CPI)可靠性的影响,分析了PBO堆叠关系和边缘位置的选择对CPI可靠性的影响。仿真实测结果表明,堆叠关系和边缘位置的变化对CPI可靠性有较显著的影响,两种因素的... 基于28 nm晶圆级封装(WLP)工艺,研究了聚苯撑苯并噁唑(PBO)对芯片-封装交互(CPI)可靠性的影响,分析了PBO堆叠关系和边缘位置的选择对CPI可靠性的影响。仿真实测结果表明,堆叠关系和边缘位置的变化对CPI可靠性有较显著的影响,两种因素的失效机理不同。利用TCAD工具能够有效预测结构变更对CPI可靠性的影响,从而优化结构设计,提升WLP封装的CPI可靠性。 展开更多
关键词 CPI可靠性 晶圆级封装 聚合物结构
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Piezoresistive properties of resonant tunneling diodes
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作者 mao haiyang XIONG Jijun +3 位作者 ZHANG Wendong XUE Chenyang SANG Shengbo BAO Aida 《Frontiers of Electrical and Electronic Engineering in China》 CSCD 2007年第4期449-453,共5页
measurement system was designed and established to test the piezoresistive properties of resonant tunneling diodes(RTDs).The current-voltage characteristic shifts of RTD at different stress states were detected.The ex... measurement system was designed and established to test the piezoresistive properties of resonant tunneling diodes(RTDs).The current-voltage characteristic shifts of RTD at different stress states were detected.The experimental results demonstrate that the piezoresistive sensitivity of RTD is larger than 1x10−8 Pa−1.To accurately represent the piezoresistive properties of RTD,the current-voltage characteristic coherence of the same RTD was tested.According to the experimental results,the largest relative resistance shift of an RTD in the same measurement environment is less than 3%,of which 1%is caused by the testing apparatuses. 展开更多
关键词 RTD piezoresistive property COHERENCE sensitivity RAMAN
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